【摘要】 本发明公开了一种多波长激光器及其制备方法及应用，该多波长激光器至少由封装衬底、热电冷却器、基板、载片以及激光器芯片构成，其中激光器芯片至少由以下部件依次构成：半导体衬底、分布反馈式Bragg光栅、下包层、下势垒层、激活区、上势垒层、上包层、分布反馈式Bragg光栅和金属电极，在激活区内设置有有源增益介质，其由多个预定的半导体介质材料的、由组分及尺寸调制的量子点带构成，每个量子点带内包含有多个尺寸相同且分布均匀的量子点；多个量子点带呈一字布列，每个量子点带对应不同的激射波长，且各个量子点带中的量子点的尺寸均不相同；本发明具有波长选择性好、量子转换效率高、输出光功率高等特点。 【专利类型】发明授权 【申请人】中兴通讯股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦A座5层 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】南山区 【申请号】CN200810172184.4 【申请日】2008-11-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101404384B 【公开公告日】2010-09-29 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101404384B 【授权公告日】2010-09-29 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01S5/34; H01S5/022; H01S5/024; H04Q11/00 【发明人】黄少华 【主权项内容】一种多波长激光器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：步骤A：根据多波长激光器需要的激射波长范围选定相应的半导体介质材料；步骤B：根据多波长激光器所需的激射波长数目确定量子点带的数目，同时根据量子点尺寸与其电子能级的关系确定各激射波长对应的量子点带内的量子点的尺寸；步骤C：根据选定的半导体材料依次生长外延下包层、下势垒层、有源增益介质、上势垒层，并通过电子束刻蚀法对生长后的芯片结构进行刻蚀，形成确定好的多个量子点带；步骤D：对制备的多个量子点带外延生长上包层、接触层及金属电极，从而组成激光器芯片；步骤E：将封装衬底、焊锡、热电冷却器、焊锡、基板、焊锡、载片以及所述激光器芯片按照从下到上的顺序封装成所述多波长激光器。 【当前权利人】速得尔科技(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市昌平区西三旗桥北金燕龙大厦301 【专利权人类型】上市股份有限公司 【统一社会信用代码】9144030027939873X7 【家族被引证次数】8
