【摘要】 本发明提供一种存储方法，用于存储设备，所述存储设备包括半导体存储介质，并设有空块池，所述方法包括：如果对所述半导体存储介质写数据的操作满足以下条件：1)从一逻辑块的起始页开始写数据，和2)要写入的数据大于或等于该逻辑块的逻辑容量，则建立该逻辑块与所述空块池中记录的空块之间的映射关系；和根据所述映射关系将数据写到该空块。本发明提高了半导体存储介质的写速度和使用寿命。 【专利类型】发明申请 【申请人】深圳市朗科科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518057 广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】南山区 【申请号】CN200810187400.2 【申请日】2008-12-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101770426A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101770426B 【授权公告日】2013-01-23 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】G06F12/06 【发明人】万红波; 卢赛文 【主权项内容】一种存储方法，用于存储设备，所述存储设备包括半导体存储介质，并设有空块池，其特征在于，所述方法包括：如果对所述半导体存储介质写数据的操作满足以下条件：1)从一逻辑块的起始页开始写数据，和2)要写入的数据大于或等于该逻辑块的逻辑容量，则建立该逻辑块与所述空块池中记录的空块之间的映射关系；和根据所述映射关系将数据写到该空块。 【当前权利人】深圳市朗科科技股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼 【专利权人类型】股份有限公司(上市) 【统一社会信用代码】91440300708442322G 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】4
