【摘要】 本发明公开了一种成本低、易于集成、散热效果好、耐高压性能好的高导通电压倒装LED集成芯片及制造方法。该集成芯片包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，硅衬底(2)上生成有至少一层导热绝缘层，导热绝缘层上沉积有金属层(6)，各LED裸芯片(1)对应的P型外延层(12)、N型外延层(11)分别通过焊球(80、81)倒装焊接在两个分离的金属层(6)上，若干个LED裸芯片(1)之间通过金属层(6)相连接组成电路。该制造方法包括形成导热绝缘层、金属层及LED裸芯片封装的步骤。本发明可广泛应用于LED集成芯片领域。。 【专利类型】发明授权 【申请人】广州南科集成电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】510663 广东省广州市广州经济技术开发区科学城天丰路6号 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】黄埔区 【申请号】CN200810028672.8 【申请日】2008-06-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101308838B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101308838B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L25/00; H01L25/075; H01L23/367; H01L21/60 【发明人】吴纬国 【主权项内容】一种高导通电压倒装LED集成芯片，包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，所述LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，其特征在于：所述硅衬底(2)的正面沉积有导热绝缘层II(5)，所述导热绝缘层II(5)上沉积有金属层(6)，各所述LED裸芯片(1)对应的所述P型外延层(12)、所述N型外延层(11)分别通过焊球(80、81)倒装焊接在两个分离的所述金属层(6)上，若干个所述LED裸芯片(1)之间通过所述金属层(6)相连接组成电路，若干个所述LED裸芯片(1)之间串联或并联或串并联组合连接，所述导热绝缘层II(5)由厚度为3500～6000埃的氮化硅层构成或厚度为1500～8000埃的二氧化硅层构成或厚度为400～8000埃的二氧化硅层与厚度为1000～6000埃的氮化硅层组合构成或厚度为1000～6000埃的氮化硅层与厚度为1500～8000埃的二氧化硅层组合构成。 【当前权利人】广州南科集成电子有限公司 【当前专利权人地址】广东省广州市广州经济技术开发区科学城天丰路6号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】914401017555852547 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】13
