【摘要】 本发明实施方式提供了一种多晶硅的纯度检测方法及装置，该方法及装置 属于化工和太阳能领域，该方法包括：将硅粉混合均匀后，用二次去离子水洗 涤，然后烘干至恒重；将烘干后的硅粉放入Teflon盘子中，加水润湿样品，并 加入多羟基化合物溶液；将所述Teflon盘子放置在Teflon容器上并放置于密封体 中，在所述密封体低部加入HF和HNO3，密封所述密封体后加热到110～120℃； 当硅粉全部消解完全，并挥发至干燥后，加入HNO3溶解残渣后，转移至塑料 容量瓶并定容后测定杂质元素的含量。本发明具体实施方式还提供一种实现多 晶硅的纯度检测方法的专用装置，该方法及装置具有检测准确度高的优点。。 【专利类型】发明申请 【申请人】华南师范大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】510006广东省广州市番禺小谷围大学城 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】番禺区 【申请号】CN200810223000.2 【申请日】2008-09-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685048A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101685048B 【授权公告日】2012-10-24 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G01N1/28 【发明人】李核; 田俊; 陈红雨 【主权项内容】1、一种多晶硅的纯度检测方法，其特征在于，所述方法包括： A、将硅粉混合均匀后，用二次去离子水洗涤2～5次，然后烘干至恒重； B、将烘干后的硅粉放入Teflon盘子中，加水润湿样品，并加入0.3mL～1mL 浓度为2.5g/L的多羟基化合物溶液； C、将所述Teflon盘子放置在Teflon容器上并放置于密封体中，在所述密封 体低部加入7mL～10mL优级纯度的HF和2mL～3mL优级纯度的HNO3，密封 所述密封体后加热到110～120℃；所述密封体为耐热耐酸腐蚀的密闭容器； D、当硅粉全部消解完全，并挥发至干燥后，打开所述密封体并向所述Teflon 盘子内加入5mL～10mL HNO3溶解残渣后，转移至塑料容量瓶； 所述5mL～10mL HNO3为HNO3与水的体积比为1∶1的HNO3； E、用二次去离子水对所述塑料容量瓶定容后，测定杂质元素的含量。 【当前权利人】华南师范大学 【当前专利权人地址】广东省广州市番禺小谷围大学城 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】124400004558589190 【被引证次数】6 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】7
