【摘要】 本发明是一种制备氮化镓薄膜装置中的气路系统。包括有氮气气源供给系统(1)、若干个有机金属气源进出管路系统(2)、分别与若干个有机金属气源进出管路系统(2)连接的若干个流量控制系统(3)、压力控制系统(4)，本发明由于采用包括有氮气气源供给系统、若干个有机金属气源进出管路系统、分别与若干个有机金属气源进出管路系统连接的若干个流量控制系统、压力控制系统的结构，与现有技术相比，本发明具有如下的优点或效果：本发明的气路系统能提供4种以内的有机金属气源的输出，各气路可以自由切换，各气路流量可以精确控制，可以制备不同掺杂成分的GaN薄膜。本发明是一种操作简单，控制方便的制备氮化镓薄膜装置中的气路系统。 【专利类型】发明授权 【申请人】华南师范大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】510631 广东省广州市天河区石牌华南师范大学 【申请人地区】中国 【申请人城市】广州市 【申请人区县】天河区 【申请号】CN200810028855.X 【申请日】2008-06-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101368265B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101368265B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C23C16/18 【发明人】陈俊芳; 李炜; 孟然; 王辉; 郭超峰 【主权项内容】一种制备氮化镓薄膜装置中的气路系统，其特征在于包括有氮气气源供给系统(1)、若干个有机金属气源进出管路系统(2)、分别与若干个有机金属气源进出管路系统(2)连接的若干个流量控制系统(3)、压力控制系统(4)，其中氮气气源供给系统(1)包括与氮气气源连接的两个质量流量计(MFC1、MFC2)，其中一个用于控制作为反应气体的氮气流量的质量流量计(MFC1)与反应室(5)直接相连，另一个用于控制作为有机金属气体载气的氮气流量的质量流量计(MFC2)与有机金属气源的进出管路系统(2)相连，每个有机金属气源进出管路系统(2)包括有机金属气源(21)、用于控制有机金属气体的输出和氮气的输入输出的三个控制阀(22、23、24)及其连接管路，其中有机金属气源(21)通过两个控制阀(22、23)及其连接管路分别与氮气气源供给系统(1)及流量控制系统(3)连接，另一个控制阀(24)连接在上述两个控制阀(22、23)之间，流量控制系统(3)包括用于自由切换不同气路，并精确控制各气路流量的质量流量计(MFC3)，压力控制系统(4)包括与若干个流量控制系统(3)连接的压力控制阀(41)、压力控制器(42)、针阀(43)及其连接管路，各流量控制系统(3)依次通过压力控制阀(41)、压力控制器(42)、及针阀(42)与反应室(5)连接。 【当前权利人】华南师范大学 【当前专利权人地址】广东省广州市天河区石牌华南师范大学 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】124400004558589190 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】8
