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平面环形微腔的制造方法专利

发布时间:2026-06-29

【摘要】 本发明涉及微型光学谐振器-光学微腔,具体是一种平面环形微腔的制造方法。解决了以现有加工方法加工制得的环形微腔未能获得超高品质因数Q值的问题,采用以下制造步骤:1、在硅基上热生长出二氧化硅层,去离子水和丙酮清洗,氮气烘干,高温炉内烘烤;2、利用刻蚀工艺将硅基上的二氧化硅层刻蚀成圆盘状;3、对硅基进行各向同性腐蚀以在圆盘状二氧化硅层下方形成光滑的圆台状支柱;4、采用激光器以高斯热分布模式经汇聚透镜对圆盘状二氧化硅层进行表面热处理,使圆盘状二氧化硅层中心表面塌陷形成环状腔体。具有良好的光学特性、光学存储作用、超高品质因数,在非线性光学、光子学、量子电动力学、高灵敏度微光学器件等领域具有广泛的应用前景。。 【专利类型】发明授权 【申请人】中北大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】030051 山西省太原市尖草坪区学院路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】太原市 【申请人区县】尖草坪区 【申请号】CN200810079330.9 【申请日】2008-08-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101349780B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101349780B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02B6/12; G02B6/13; G02F1/35; H01S5/10; H01S3/08 【发明人】张文栋; 闫树斌; 熊继军; 薛晨阳; 严英占; 吉喆; 王少辉; 姜国庆; 王宝花 【主权项内容】一种平面环形微腔的制造方法,其特征在于:采用以下制造步骤:1)、利用硅热氧化工艺在硅基(1)上热生长出厚度为2~5μm的二氧化硅层(2),然后用去离子水和丙酮清洗后,用氮气烘干,再在高温炉中100~150℃高温范围内烘烤5~10分钟;2)、利用刻蚀工艺将硅基(1)上的二氧化硅层(2)刻蚀成圆盘状;3)、利用体硅微加工工艺对硅基(1)进行各向同性腐蚀以在圆盘状二氧化硅层(2)下方形成光滑的圆台状支柱;4)、采用激光器以高斯热分布模式经汇聚透镜对圆盘状二氧化硅层(2)进行表面热处理,使圆盘状二氧化硅层(2)中心表面塌陷形成环状腔体,得到所述平面环状微腔(3)。 【当前权利人】中北大学 【当前专利权人地址】山西省太原市尖草坪区学院路3号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12140000405747348X 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】14

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  • 【摘要】本发明公开了一种汉麻纤维冷冻辐射辅助脱胶工艺,该工艺是在热水浴、预浸酸、预氯处理后,进行紫外线辐射、骤冷、加热处理,然后再进行碱氧-机械联合脱胶处理,最后加入柔软剂进行了二次煮炼。经该工艺处理后的汉麻纤维表面脱胶效果优于常规碱氧法和
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