【摘要】 本发明涉及晶体生长技术领域中的一种倒锥形凸底式晶体生长 装置，主体结构包括生长容器、加热板、凸锥底、溶液室、生长晶体、 籽晶座、电动机和热电偶，在生长容器的底部或锥顶段，制有一个凸 锥底，凸锥底周边与生长容器周壁形成等距离对称结构的空间，凸锥 底与生长容器连接处形成无缝隙均匀密封连接结构，晶体生长容器下 部的凸锥底下端外侧制有加热板；凸锥底高度与生长容器中溶液高度 的比例为1～3∶10；凸锥底周壁将晶体生长过程中出现的二次成核集 中到底部，通过加热使尚未越过二次成核位垒的晶胚不再长大成核， 实现生长容器底部不出现杂晶，其结构原理简单可靠，制造成本低， 使用操作方便，晶体生长速度快质量好，效率高。 【专利类型】发明授权 【申请人】青岛大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】266071山东省青岛市宁夏路308号 【申请人地区】中国 【申请人城市】青岛市 【申请人区县】市南区 【申请号】CN200810016849.2 【申请日】2008-06-13 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100585028C 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100585028C 【授权公告日】2010-01-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C30B7/00; B01D9/02 【发明人】滕冰; 王东娟; 李晓兵; 钟德高; 王庆国 【主权项内容】1.一种凸底式晶体生长装置，主体结构包括生长容器、加热板、 凸锥底、溶液室、生长晶体、籽晶座、电动机和热电偶，其特征在于 缸式结构的倒圆台形生长容器的底部，与容器壁同材料制有凸起的弧 形尖结构的凸锥底，凸锥底周边与生长容器周壁形成等距离对称结构 的空间，凸锥底与生长容器连接处采用一体式吹拉或压铸制成无缝隙 均匀密封连接结构；晶体生长容器下部的凸锥底下端外侧制有与凸锥 底下部面积和形状相同的加热板，加热板的功率根据晶体生长容器内 溶液的体积确定；凸锥底高度与生长容器中溶液高度的比例为1～3∶ 10；凸锥底周壁将晶体生长过程中出现的二次成核在重力和溶液对流 的作用下集中到底部，通过加热使尚未越过二次成核位垒的晶胚不再 长大成核，实现生长容器底部不出现杂晶。 【当前权利人】青岛大学 【当前专利权人地址】山东省青岛市宁夏路308号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12370000495571728M 【引证次数】4.0 【自引次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】13
