【摘要】 本发明涉及一种半导体器件封装结构，尤其是涉及一种小型半导体器件的封装结构。其包括第一引线框架、第二引线框架和与两者电性连接的晶片，以及一体式结构的封装壳体。所述晶片夹在所述引线框架之间，其中位于晶片下面的第二引线框架的下表面暴露于所述封装壳体外面；所述第二引线框架的下表面与所述封装壳体的下表面的夹角呈3°～7°。本发明结构紧凑，制造成本低，散热效果好，有效提高了单位功率密度。 【专利类型】发明授权 【申请人】济南晶恒有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】250014 山东省济南市历下区和平路51号 【申请人地区】中国 【申请人城市】济南市 【申请人区县】历下区 【申请号】CN200810014605.0 【申请日】2008-02-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101231982B 【公开公告日】2010-07-28 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101231982B 【授权公告日】2010-07-28 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L23/495; H01L23/31; H01L23/367 【发明人】孟博; 苏云荣 【主权项内容】一种半导体器件封装结构，包括第一引线框架(1)、第二引线框架(5)和与两者电性连接的晶片(3)，以及一体式结构的封装壳体(2)，所述晶片(3)夹在所述第一引线框架(1)和第二引线框架(5)之间，其中第二引线框架(5)的下表面暴露于所述封装壳体(2)外面，其特征在于：所述第二引线框架(5)的下表面与所述封装壳体(2)的下表面的夹角呈3°～7°。 【当前权利人】济南晶恒电子有限责任公司 【当前专利权人地址】山东省济南市历下区和平路51号 【家族被引证次数】2
