【摘要】 本发明公开了一种制备附着在触摸屏上绝缘膜的方法，使用磁控反应溅射的方法在触摸屏基材表面上通过Ni和O2在真空状态下发生化学反应沉积一层NiO膜；制备方法包括：真空度为3～5x10-3Torr，加热基材至70～80℃，磁控反应溅射沉积NiO膜，与现有技术相比，使用该方法在触摸屏基材表面沉积纳米级厚度的NiO膜，膜层均匀、致密、附着力好，使得绝缘膜具有良好绝缘性、防静电、抗电击性能，该膜层具有很好的结合力和很高的透过率，适合手机LCD液晶保护屏和家电产品触摸屏绝缘膜的工业化生产。 【专利类型】发明申请 【申请人】芜湖长信科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】241009 安徽省芜湖市经济技术开发区汽经二路以东 【申请人地区】中国 【申请人城市】芜湖市 【申请号】CN200810244741.9 【申请日】2008-12-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101748371A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101748371B 【授权公告日】2011-11-09 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C23C14/35; C23C14/08; C23C14/54 【发明人】陈奇; 沈励; 许沭华; 石富银; 迟晓晖 【主权项内容】一种制备附着在触摸屏上绝缘膜的方法，其特征在于：在真空室真空度为3～5x10-3Torr条件下，加热基材至70～80℃，采用磁控反应溅射法使置于真空室内的Ni和O2生成NiO，并在基材表面沉积成NiO膜层。。 【当前权利人】芜湖长信科技股份有限公司 【当前专利权人地址】安徽省芜湖市经济技术开发区汽经二路以东 【专利权人类型】其他股份有限公司(上市) 【统一社会信用代码】913400007199042708 【被引证次数】4 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】4
