【摘要】 本发明公开了一种一维硅/二氧化硅光子晶体滤波器，特征在于：第1二氧化硅层厚度为195(1+Δ1)nm，第3二氧化硅层厚度为390(1+Δ1/2)nm，第9二氧化硅层厚度为390(1+Δ2/2)nm，第2硅层厚度为170(1+Δ1)nm，第10硅层厚度为170(1+Δ2)nm，其中Δ1和Δ2为数学小量，0.08≤Δ1≤0.12，0.06≤Δ2≤0.16。本发明提出的改进型一维硅/二氧化硅光子晶体滤波器解决了现有技术的一维硅/二氧化硅光子晶体滤波器在锑化镓电池特征波长附近对有效辐射光子的较强反射作用的问题，从而可提高热光伏系统的光谱效率20.1％-5.9％，可增加输出电功率密度14.8％-5.3％。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学技术大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】230026 安徽省合肥市金寨路96号 【申请人地区】中国 【申请人城市】合肥市 【申请人区县】蜀山区 【申请号】CN200810244435.5 【申请日】2008-12-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101431109B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101431109B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L31/0203; H01L31/04; G02B5/20; H02N6/00; H02S40/30 【发明人】茆磊; 叶宏 【主权项内容】一种一维硅/二氧化硅光子晶体滤波器，在光学基片上沉积共10层依次交替的硅层和二氧化硅层形成：第10硅层、笫9二氧化硅层、第8硅层、笫7二氧化硅层、第6硅层、第5二氧化硅层、第4硅层、第3二氧化硅层、第2硅层和第1二氧化硅层依次远离光学基片，第5和第7层二氧化硅的厚度分别为390nm，第4、6、8硅层厚度都为170nm，其特征在于：第1二氧化硅层厚度为195(1+Δ1)nm，第3二氧化硅层厚度为390(1+Δ1/2)nm，第9二氧化硅层厚度为390(1+Δ2/2)nm，第2硅层厚度为170(1+Δ1)nm，第10硅层厚度为170(1+Δ2)nm，其中Δ1和Δ2为数学小量，0.08≤Δ1≤0.12，0.06≤Δ2≤0.16。 【当前权利人】中国科学技术大学 【当前专利权人地址】安徽省合肥市金寨路96号 【统一社会信用代码】12100000485001086E 【引证次数】2.0 【被引证次数】1 【他引次数】2.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】18
