【摘要】 本发明公开了一种柔性衬底硅基薄膜太阳电池，包括衬底S为不透明和透明柔性材料，且太阳电池的结构为P型硅基薄膜/I型硅基薄膜/N型硅基薄膜，所述P型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧，I型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅锗或纳米硅、纳米硅锗，N型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳或微晶硅氧，也可为纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧。本发明利用微晶硅基或纳米硅基薄膜材料电子和空穴迁移率具有相同数量级的特性，将目前应用于玻璃衬底上比较成熟的P/I/N电池技术合理转移到柔性衬底上，较容易实现工艺的转移。 【专利类型】发明授权 【申请人】南开大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】300071 天津市南开区卫津路94号 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】南开区 【申请号】CN200810052621.9 【申请日】2008-04-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101257056B 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101257056B 【授权公告日】2010-06-16 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L31/075; H01L31/045; H01L31/02 【发明人】张晓丹; 赵颖; 魏长春; 耿新华; 熊绍珍 【主权项内容】一种柔性衬底硅基薄膜太阳电池，包括衬底S、金属M、透明导电薄膜T1、P型硅基薄膜、I型本征硅基薄膜、N型硅基薄膜和透明导电薄膜T2，其特征在于：所述硅基薄膜太阳电池以柔性材料为衬底，且该硅基薄膜太阳电池的结构为P型硅基薄膜/I型硅基薄膜/N型硅基薄膜，所述P型硅基薄膜、I型硅基薄膜和N型硅基薄膜皆采用微晶硅基或纳米硅基薄膜，其中，P型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳、微晶硅氧、纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧，I型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅锗、纳米硅或纳米硅锗，N型硅基薄膜采用微晶硅、微晶硅碳、微晶硅氧、纳米硅、纳米硅碳或纳米硅氧。 【当前权利人】南开大学 【当前专利权人地址】天津市津南区海河教育园同砚路38号 【统一社会信用代码】121000004013593721 【引证次数】3.0 【自引次数】1.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】6
