【摘要】 本发明公开一种并行曝光/低噪声双模式CMOS图像传感器，包括有：曝光控制模块分别连接每个CMOS图像传感器有源像素的T4选通信号、T5选通信号和复位信号；行解码器分别连接每个CMOS图像传感器有源像素的行选通控制线；多路选择器分别连接每个CMOS图像传感器有源像素的输出电压信号；4T/5T模式切换单元分别通过4T总线和5T总线与曝光控制模块相连；4T/5T模式切换单元还通过图像传感器输出数据与多路选择器相连接。本发明在保证了亮光情况下并行曝光的同时，大大降低了暗光情况下的成像噪声，极大的扩展了图像传感器在不同光照条件下的动态范围。从而改善了传统CMOS图像传感器不能兼顾并行曝光模式和大动态范围工作的缺陷。 【专利类型】发明授权 【申请人】李斌桥 【申请人类型】个人 【申请人地址】300072 天津市南开区卫津路92号天津大学三村博士后公寓1门304号 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】南开区 【申请号】CN200810054040.9 【申请日】2008-08-01 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101330577B 【公开公告日】2010-04-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101330577B 【授权公告日】2010-04-07 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H04N5/235; H04N5/335 【发明人】李斌桥 【主权项内容】一种可变换工作模式的CMOS图像传感器，其特征在于，包括有4T/5T模式切换单元、曝光控制模块、多路选择器、行解码器和多个可变换工作模式的CMOS图像传感器有源像素，其中，所述的曝光控制模块分别连接每个CMOS图像传感器有源像素的T4选通信号、T5选通信号和复位信号(RST)；所述的行解码器分别连接每个CMOS图像传感器有源像素的行选通控制线(Row)；所述的多路选择器分别连接每个CMOS图像传感器有源像素的输出电压信号(Col)；所述的4T/5T模式切换单元分别通过4T总线和5T总线与曝光控制模块相连；所述的4T/5T模式切换单元还通过图像传感器输出数据与多路选择器相连接；所述的有源像素的构成是：用于独立全局曝光的第五MOS管(M5)、用于4T/5T传输门的第一MOS管(M1)、用于复位的第二MOS管(M2)、用于缓冲输出的第三MOS管(M3)和用于行选通的第四MOS管(M4)组成，其中，第一MOS管(M1)的源极、第二MOS管(M2)的源极以及第三MOS管(M3)的栅极三者的连接点为存储节点(SN)；所述的第五MOS管(M5)的漏极、第二MOS管(M2)的漏极和第三MOS管(M3)的漏极均连接电源的正极；所述的第三MOS管(M3)的源极连接第四MOS管(M4)的漏极，第四MOS管(M4)的源极为输出电压信号(Col)，第四MOS管(M4)的栅极为行选通控制线(Row)；第二MOS管(M2)的栅极为复位信号(RST)；所述的第五MOS管(M5)的栅极为T5选通信号，所述的第一MOS管(M1)的栅极为T4选通信号。 【当前权利人】天津慧微电子研发科技有限公司 【当前专利权人地址】天津市滨海新区经济技术开发区信环西路19号4号楼4403室 【引证次数】7.0 【他引次数】7.0 【家族引证次数】7.0 【家族被引证次数】16
