【摘要】 本发明涉及铜铟镓硒薄膜太阳电池用光吸收层的制备方法，先采用公知技术的真空磁控溅射方法在镀Mo的衬底上溅射Cu、In、Ga预制层，其特点包括封装、升温、降温制备过程，制备出本发明的铜铟镓硒薄膜太阳电池用吸收层。由于采用了密闭真空硒化或硫化法，使固态硒源或硫源硒化或硫化彻底、完全、均匀，预制层转变为铜铟镓硒或铜铟镓硫光吸收层，既有效提高吸收层薄膜性能，满足薄膜太阳电池的要求，又避免使用H2Se或H2S等有毒气体，有利于环保要求。采用该吸收层制备的薄膜太阳电池光电转化效率可达到10.5％，而且设备简单，反应物消耗小，并适合于工业化生产。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国电子科技集团公司第十八研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】300381 天津市南开区李七庄凌庄子道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】南开区 【申请号】CN200810154679.4 【申请日】2008-12-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101771100A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】赵彦民; 方小红; 王庆华; 李巍 【主权项内容】铜铟镓硒薄膜太阳电池用光吸收层的制备方法，先采用公知技术中真空磁控溅射方法在镀Mo衬底上溅射Cu、In、Ga形成的预制层反应基片，其特征在于包括以下制备过程：(1)封装：用惰性气体或混合气体对容器进行冲洗后，将预制层反应基片和反应物装入容器内，用机械泵对容器进行抽真空，容器内的真空度达到10Pa以下后，将容器封口，使容器内保持真空；(2)升温过程：将封口后的密闭容器整体放入控温炉内升温，当到达反应温度后正式计时，预制层反应基片与反应物充分反应；(3)降温过程：反应完成后，容器整体进行快速降温，待温度降至室温后，取出基片，即制备出本发明的铜铟镓硒薄膜太阳电池用吸收层。 【当前权利人】中国电子科技集团公司第十八研究所 【当前专利权人地址】天津市南开区李七庄凌庄子道18号 【引证次数】1.0 【被引证次数】9 【他引次数】1.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】9
