【摘要】 本发明公开了一种粘结氧化锆烧结体的方法，具有如下步骤。(1)制备中间相：按原料组分及其重量百分比含量为SiC 50～70wt％，ZrO2：30～50wt％进行配料；(2)将中间相涂覆在氧化锆陶瓷待粘结面上；(3)进行微波处理；本发明提供了一种工艺简单，接头强度大，耐热性好，粘结效率高的氧化锆陶瓷的粘结方法。并能够通过改变中间相的配方来调整粘结温度，整个粘结过程耗时短、效率高、节约了能源消耗，也简化了对设备的要求。 【专利类型】发明授权 【申请人】天津大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】300072 天津市南开区卫津路92号 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】南开区 【申请号】CN200810052949.0 【申请日】2008-04-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101265119B 【公开公告日】2010-04-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101265119B 【授权公告日】2010-04-07 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C04B37/00; C04B35/48 【发明人】刘家臣; 何欣; 张鹏宇; 范巍 【主权项内容】1.一种氧化锆烧结体的粘结方法，具有如下步骤：(1)制备中间相：按原料组分及其重量百分比含量为SiC 50～70wt％，ZrO2：30～50wt％进行配料；球磨2小时，干燥并研磨成粉料后过160目筛，以无水乙醇分散后调整固相含量为25～45wt％；(2)将步骤(1)制备的中间相均匀涂覆在氧化锆陶瓷待粘结面上，将两粘结面对接后于空气中干燥；(3)将干燥后的构件进行微波处理：先于微波1000W功率照射20-30min，再转换成2000W功率继续照射20-30min，最后于3000W功率下照射10-40min，自然冷却至室温。 【当前权利人】天津大学 【当前专利权人地址】天津市南开区卫津路92号 【统一社会信用代码】12100000401359321Q 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】3
