【摘要】 本发明公开了一种热敏电阻表面局部化学镀制造良好欧姆接触电极的方法，包括对前瓷体进行清洗、干燥、活化浆料的配制和印刷、高温活化、镀镍、镀铜、水洗、脱水、干燥和浸锡、测试等步骤；本发明在热敏电阻局部金属化的部位沉积一层具有良好欧姆接触的镍-铜复合电极，该电极结合力高，易于焊接，电性能指标均满足技术要求；提高劳动生产率2倍以上，原料成本仅为原来的25％，特别适用于焊接型的PTC和NTC热敏电阻电极的制造。 【专利类型】发明授权 【申请人】天津大学; 鞍山市中普仪表电子设备有限公司 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】300072 天津市南开区卫津路92号 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】南开区 【申请号】CN200810153637.9 【申请日】2008-11-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101429655B 【公开公告日】2010-11-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101429655B 【授权公告日】2010-11-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C23C18/36; C23C18/38; C23C18/18 【发明人】刘炳泗; 杨新宇 【主权项内容】一种半导体陶瓷热敏电阻表面局部化学镀制造良好欧姆接触电极方法，具有如下步骤：(1)对半导体热敏电阻前瓷体进行清洗、干燥；(2)配制热敏电阻表面局部化学镀活化浆料，所述活化浆料的原料组分为金属活化剂、润湿剂、增稠剂和调色剂；(3)将活化浆料印刷到需金属化的部位，经干燥和高温活化，自然冷却至室温；(4)将步骤(3)经高温活化的热敏电阻前瓷体，置于化学镀镍液中，在40～60℃条件下沉积低于1μm的Ni-P合金过渡层，化学镀镍液中，选择醋酸镍为镍盐，其重量百分比为0.1％～3％，次亚磷酸钠为还原剂，重量百分比为0.5～10.0％，其他为辅助试剂；(5)将步骤(4)的热敏电阻迅速转移到化学镀铜液中，于40～70℃的条件下，在热敏电阻表面需金属化的部位形成一层光亮、致密、完整的金属铜电极；(6)将沉积一层金属铜电极的热敏电阻元件用自来水或去离子水漂洗干净，经丙酮脱水后，迅速在80℃的条件下干燥；(7)将热敏电阻元件进行浸锡和包封处理，并进行电性能测试。 【当前权利人】天津大学; 鞍山市中普仪表电子设备有限公司 【当前专利权人地址】天津市津南区海河教育园区雅观路135号天津大学北洋园校区; 辽宁省鞍山市铁西经济开发区永宁街6号 【专利权人类型】; 有限责任公司(自然人投资或控股) 【统一社会信用代码】12100000401359321Q; 91210303732306419Q 【引证次数】1.0 【被引证次数】3 【他引次数】1.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】11
