24小时服务热线
效率高速
品质保障
厂家直供
售后保障
行业新闻
当前位置:行业新闻>

一种奶茶粉及其制备方法专利

发布时间:2026-06-22

【摘要】 本发明公开了一种奶茶粉及其制备方法,它由鲜牛奶、白砂糖、植脂末、青砖茶、固体粉末香精按一定的比例制成,其步骤是:A、粉碎:将砖茶通过超微粉碎,得茶粉;B、混合:取适量鲜牛奶,通过板式换热器把牛奶升温,通过水粉混合机加入茶粉、白砂糖、植脂末、固体粉末香精,循环搅拌,加入剩余原料乳;C、杀菌;D、浓缩,用双效降膜式真空蒸发器对物料进行杀菌和浓缩,得浓缩物料;E、喷雾干燥:浓缩物料用高压泵喷雾、干燥;F、流化床二次干燥得奶茶粉。本发明配方合理,饮用方便,方法易行,工艺简便,可最大限度地降低奶茶生产工艺中的能耗,缩短生产时间,并提高奶茶品质的稳定性,提高奶茶生产过程中茶叶的利用率,减少浪费和污染。 【专利类型】发明授权 【申请人】新希望乳业控股有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】610063 四川省成都市锦江区锦江工业开发区金石路376号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】锦江区 【申请号】CN200810047168.2 【申请日】2008-03-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101248818B 【公开公告日】2010-12-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101248818B 【授权公告日】2010-12-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】A23C9/152; A23C9/156; A23F3/14 【发明人】汪家琦; 李启明; 杨兵; 欧邦伟; 刘畅 【主权项内容】一种奶茶粉,它由下述质量百分比的原料制成:原料                  %鲜牛奶                45~60白砂糖                22~30植脂末                15~25青砖茶                2.5~6乳脂素                0.005~0.6其具体制作步骤如下:A、粉碎:将青砖茶通过超微粉碎,粉碎至300目以下,60μm的微细粉末,得茶粉;B、混合:通过板式换热器把鲜牛奶升温到60~70℃,通过水粉混合机加入茶粉、白砂糖、植脂末、乳脂素,循环搅拌10~15分钟;C、杀菌:温度控制在80~85℃,时间为10~15s;D、浓缩,用双效降膜式真空蒸发器对物料进行杀菌和浓缩,得浓缩物料,进料温度            0~8℃杀菌温度            90~96℃物料浓度            45~52%物料温度            45~55℃;E、喷雾干燥:浓缩物料用高压泵喷雾,用上排风立式压力喷雾干燥塔带细粉反吹回塔附聚系统进行干燥,得奶茶粉,喷雾压力            12~15Mpa物料浓度            14~18Be′物料预热温度        60~75℃喷眼孔径            1.5~2.2mm进风温度            155~175℃排风温度            75~85℃塔内温度            70~80℃ 塔内负压                    0~400Pa;F、流化床二次干燥:从喷塔出来的奶粉在流化床里进行二次干燥和冷却,流化床二次干燥的工艺条件如下:一段温度                    50~75℃二段温度                    30~55℃三段温度                    15~25℃奶粉出床温度                15~30℃振动筛规格                  8~14目奶粉水分含量                2.0~4.0%奶粉温度                    15~25℃;G、包装:奶粉用自动包装机或手工包装成袋。 【当前权利人】新希望乳业控股有限公司 【当前专利权人地址】四川省成都市锦江区锦江工业开发区金石路376号 【专利权人类型】有限责任公司(中外合资) 【统一社会信用代码】91510100790021999F 【引证次数】4.0 【被引证次数】3 【他引次数】4.0 【被他引次数】3.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】21

  • 【摘要】本发明公开了一种单级混合冷剂制冷循环液化天然气的方法,将原料天然气通过冷箱中的换热器,与混合冷剂换热,天然气被冷却液化;其中混合冷剂先依次经压缩机增压、冷却器冷却,然后不进行气液分离、直接进入换热器预冷,再出换热器降压降温,再回到换
  • 【摘要】本实用新型涉及一种能快速大量繁育植物组培苗的低成本的高通量植物组 织培养袋。是采用一个容器制成的培养袋,容器的顶部安置有带有滤膜的可开闭 的进样口,进样口下端接有一个空心管,空心管下端的管璧开有孔,空心管底部 固定有一个边沿有侧壁而
  • 【摘要】一种薄层SOI LIGBT器件,属于半导体功率器件技术领域。器件SOI层厚度为1μm~2μm,在体区与漂移区之间做有空穴势垒层,将空穴最大限度“挡”在漂移区内,从而增加漂移区中靠阴极侧的空穴浓度,降低器件导通损耗。在空穴势垒层旁还可
  • 【摘要】一种两次刻蚀单层多晶硅的高功率BCD工艺,属于半导体器件及集成电路,具体涉及BCD器件的制造方法。包括衬底预氧、NBL、PBL;外延生长;ISO;Nsink;PCH和NCH注入;栅氧化层生长;PBASE、PBODY1和PBODY2区
  • 【摘要】平面产品,省略其他视图。【专利类型】外观设计【申请人】陈旺【申请人类型】个人【申请人地址】611741四川省成都市郫县三道堰镇平定村五社【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】郫都区【申请号】CN200830264266
  • 【专利类型】外观设计【申请人】王建柱【申请人类型】个人【申请人地址】612500 四川省仁寿县文林镇文林路人民广场街25号4幢2单元2号【申请人地区】中国【申请人城市】眉山市【申请人区县】仁寿县【申请号】CN200830209973.1【申