【摘要】 一种薄层SOI LIGBT器件，属于半导体功率器件技术领域。器件SOI层厚度为1μm～2μm，在体区与漂移区之间做有空穴势垒层，将空穴最大限度“挡”在漂移区内，从而增加漂移区中靠阴极侧的空穴浓度，降低器件导通损耗。在空穴势垒层旁还可以增加P型耗尽区，辅助耗尽N型空穴势垒层，以增强器件承受高压时的漂移区耗尽，改善器件的击穿特性。本发明具有寄生效应小、速度快、功耗低、抗辐照能力强等优点，且与标准工艺兼容。采用本发明可以制作性能优良的高压、高速、低导通损耗的LIGBT功率器件。 【专利类型】发明授权 【申请人】电子科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610054 四川省成都市建设北路二段4号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】郫都区 【申请号】CN200810147819.5 【申请日】2008-12-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101431097B 【公开公告日】2010-10-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101431097B 【授权公告日】2010-10-13 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/739; H01L29/06 【发明人】乔明; 罗波; 廖红; 蒋苓利; 王卓; 张波 【主权项内容】一种薄层SOI LIGBT器件，包括：P+衬底(1)，埋氧层(2)，N型缓冲层(3)，P+阳极区(4)，阳极金属(5)，场氧区(6)，金属前介质(7)，N型空穴势垒层(8)，P型体区(9)，多晶硅栅极(10)，阴极金属(11)，阴极N+区(12)，阴极P+区(13)，P型区(14)，栅氧层(17)和N-漂移区(16)；所述P+衬底(1)的表面是埋氧层(2)，所述埋氧层(2)上面是厚度为1μm～2μm的SOI层；所述SOI层一侧是N型缓冲层(3)，N型缓冲层(3)的上面是P+阳极区(4)，P+阳极区(4)的上面是阳极金属(5)；所述SOI层另一侧是P型区(14)；P型区(14)和N型缓冲层(3)之间是N型空穴势垒层(8)、P型体区(9)和N-漂移区(16)，其中：N-漂移区(16)与N型缓冲层(3)相连，P型体区(9)与P型区(14)相连，N型空穴势垒层(8)位于P型体区(9)和N-漂移区(16)之间；N-漂移区(16)的上面是场氧区(6)；N型空穴势垒层(8)和部分P型体区(9)的上面是栅氧层(17)，栅氧层(17)和部分场氧区(6)的上面是多晶硅栅极(10)；部分P型区(14)的上面是阴极P+区(13)，另一部分P型区(14)和另一部分P型体区(9)的上面是阴极N+区(12)；阴极N+区(12)和阴极P+区(13)的上面是阴极金属(11)；多晶硅栅极(10)和大部分场氧区(6)的上面且在阳极金属(5)和阴极金属(11)之间的是金属前介质(7)。 【当前权利人】电子科技大学 【当前专利权人地址】四川省成都市建设北路二段4号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】121000004507193117 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】10
