【摘要】 一种两次刻蚀单层多晶硅的高功率BCD工艺，属于半导体器件及集成电路，具体涉及BCD器件的制造方法。包括衬底预氧、NBL、PBL；外延生长；ISO；Nsink；PCH和NCH注入；栅氧化层生长；PBASE、PBODY1和PBODY2区硼注入；多晶硅参杂；刻出VDMOS以外的多晶硅；NLDD；NSD、PSD等步骤。本发明采用淀积一次多晶硅，两次刻蚀多晶硅后进行多晶硅掺杂的方法避免了多晶后续工艺的高温过程中多晶硅中的掺杂离子对栅氧及沟道区的影响，解决了热过程中栅氧易被破坏的难题。可在单一芯片上集成包括高压VDMOS、高压PMOS、高压NPN、高压PNP、低压NPN、衬底PNP、横向PNP、低压NMOS、低压PMOS、低压二极管、高压二极管、齐纳二极管以及各类电容电阻在内的多种器件。具有高功率、集成器件多、工艺易于实现、器件性能稳定和兼容性好的特点。 【专利类型】发明授权 【申请人】电子科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610054 四川省成都市建设北路二段四号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】郫都区 【申请号】CN200810147817.6 【申请日】2008-12-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101431057B 【公开公告日】2010-11-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101431057B 【授权公告日】2010-11-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/8249 【发明人】方健; 毛焜; 刘哲; 张弦; 王凯; 尹德阳; 王亮亮; 薛方俊; 罗波; 关旭; 张波 【主权项内容】一种两次刻蚀单层多晶硅的高功率BCD工艺，包括如下顺序步骤：步骤1：先对P型衬底进行预氧化，然后采用离子注入法形成N埋层，即NBL；再采用扩散掺杂法形成P埋层，即PBL；步骤2：生长外延层；步骤3：先进行与P埋层对通隔离，即ISO的硼注入，然后进行VDMOS管JFET区磷注入调整和P阱硼离子注入，再进行一次退火预推结；步骤4：先进行将N埋层接出，即Nsink的磷注入，然后进行第一次Nsink推结；步骤5：进行P沟阻和N沟阻注入，即PCH和NCH注入后，淀积Si3N4，然后进行有源区刻蚀，然后推PCH、NCH的同时进行第二次Nsink推结，再生长场氧，最后刻出VDMOS体区；步骤6：在生长栅氧化层前预氧、漂预氧、通过对所有有源区注入离子进行第一次阈值电压调整、通过VTH版注入离子对NMOS管和PMOS管的有源区进行第二次阈值电压调整，再预栅氧、漂预栅氧；步骤7：先生长栅氧化层，然后淀积多晶硅，再用Etchpoly版对多晶硅区域刻蚀，刻出PBASE区、PBODY1区和PBODY2区；步骤8：进行PBASE硼注入、PBODY1硼注入和PBODY2硼注入，然后退火推结；步骤9：引入SHIELD版保护PBASE区、PBODY1区和PBODY2区，对多晶硅进行注入掺杂；步骤10：刻出VDMOS以外的多晶硅区域；步骤11：NLDD磷注入并推结；步骤12：NSD源漏区磷注入，PSD源漏区硼注入；步骤13：生长欧姆孔、淀积金属1、刻VIA孔、淀积金属2、钝化和刻PAD。 【当前权利人】电子科技大学 【当前专利权人地址】四川省成都市建设北路二段四号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】121000004507193117 【家族被引证次数】13
