【摘要】 一种高耐压铝电极箔的制备方法，属电子材料技术领域，涉及铝电解电容器中铝电极箔的制备方法。本发明通过浸渍处理使得具有Keggin结构的杂多酸阴离子吸附于经腐蚀扩面后的铝电极箔表面；然后经温控热处理，促使Keggin结构发生改变，从而在铝电极箔表面获得Al2O3和XaOb的高耐压相的复合氧化膜；再进行阳极氧化，最终获得具有高耐压特性的铝电极箔。本发明所制备的铝电极箔在相同耐压条件下具有更薄的介质膜厚度，提高了铝电极箔的比率容量，有利于缩小铝电解电容器的体积。本发明采用水溶液体系，实施设备简单，处理时间短，可与目前工业上电化学扩面腐蚀生产线或化成线相兼容，可直接组合在目前工业上电化学扩面腐蚀生产线或化成线中。 【专利类型】发明授权 【申请人】电子科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610054 四川省成都市建设北路二段四号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】郫都区 【申请号】CN200810147975.1 【申请日】2008-12-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101457381B 【公开公告日】2010-11-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101457381B 【授权公告日】2010-11-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C25D11/16; H01G9/045; H01G9/055 【发明人】冯哲圣; 陈金菊 【主权项内容】一种高耐压铝电极箔的制备方法，包括以下步骤：步骤1：将经过腐蚀扩面的铝电极箔置于具有Keggin结构的杂多酸酸性溶液中进行浸渍处理，使得具有Keggin结构的杂多酸阴离子吸附于铝电极箔表面；所述具有Keggin结构的杂多酸选用以Si元素为杂原子的Keggin结构杂多酸，配原子可选用Mo、W、V中的一种；步骤2：对步骤1所获得的表面吸附了具有Keggin结构的杂多酸阴离子的铝电极箔进行温控热处理，促使杂多酸分子发生分解，获得表面具有Al2O3/高耐压相复合氧化膜的铝电极箔；进行热处理时，具体步骤如下：步骤2-1：先对步骤1所获得的表面吸附了具有Keggin结构的杂多酸阴离子的铝电极箔进行低温热处理，控制温度在50～300℃之间，处理时间为1～10min；步骤2-2：然后对经低温热处理后的表面吸附了具有Keggin结构的杂多酸阴离子的铝电极箔进行高温热处理，控制温度在400～650℃之间，处理时间为1～10min；步骤3：对步骤2所获得的表面具有Al2O3/高耐压相复合氧化膜的铝电极箔进行阳极氧化，最终获得高耐压铝电极箔。 【当前权利人】四川立业电子有限公司 【当前专利权人地址】四川省阿坝藏族羌族自治州小金县美兴镇 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】121000004507193117 【引证次数】10.0 【自引次数】2.0 【他引次数】8.0 【家族引证次数】10.0 【家族被引证次数】2
