【摘要】 一种基于SOI晶片的静电驱动MEMS变形镜，其中SOI晶片从上到下包括硅器件层、 二氧化硅层、硅衬底层，其特征在于：镜面位于SOI晶片的硅器件层之上；镜面和SOI晶片之间是通过连接杆来连接；上极板形成在SOI晶片的硅器件层上；下极板所在的硅或玻璃衬底位于SOI晶片下方；SOI晶片的硅衬底层通过键合物键合到下极板所在衬底上构成变形镜的驱动结构的支撑部分；硅器件层下面的二氧化硅层和硅衬底层被掏空作为驱动器的行程空间；本发明的静电驱动MEMS变形镜不会受到静电拉入(pull-in)现象的影响，能够获得大的行程，能够应用于各种自适应光学系统，提高光学系统的成像质量，具有十分重要的应用价值。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院光电技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】610209 四川省双流350信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】双流区 【申请号】CN200810103498.9 【申请日】2008-04-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101256283B 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101256283B 【授权公告日】2010-06-16 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02B26/08; G02B26/06 【发明人】姚军; 王大甲; 邱传凯 【主权项内容】一种基于SOI晶片的静电驱动MEMS变形镜，其中SOI晶片从上到下包括硅器件层(2)、二氧化硅层(3)、硅衬底层(4)，其特征在于：镜面(1)位于SOI晶片的硅器件层(2)之上，镜面(1)和SOI晶片之间是通过连接杆(6)来连接，上极板(7)形成在SOI晶片的硅器件层(2)上，下极板(8)所在的衬底(9)位于SOI晶片的下方，SOI晶片的硅衬底层(4)通过键合物(5)键合到衬底(9)上构成变形镜驱动结构的支撑部分，硅器件层(2)下面的二氧化硅层(3)和硅衬底层(4)被掏空作为驱动结构的行程空间。 【当前权利人】中国科学院光电技术研究所 【当前专利权人地址】四川省双流350信箱 【统一社会信用代码】12100000450811820A 【家族被引证次数】8
