【摘要】 一种像素的形成方法，包括下列步骤：形成薄膜晶体管于基板上，其中薄膜晶 体管包括栅极、通道层、源极以及漏极；接着，形成保护层于薄膜晶体管上，然后， 形成图案化光阻层于保护层上，于图案化光阻层、部分薄膜晶体管以及部分基板上形 成透明导电层；接下来，形成第一金属层于透明导电层上，再以剥离制作工艺将位于 图案化光阻层上的透明导电层与第一金属层移除。接着，以酸性溶剂溶解已剥离的透 明导电层及第一金属层。然后，移除残留的第一金属层以裸露出未被图案化光阻层覆 盖的薄膜晶体管及位于基板上的透明导电层。 数据由整理 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路一号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810086863.X 【申请日】2008-03-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100585837C 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100585837C 【授权公告日】2010-01-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/84; H01L21/321; H01L21/3213; H01L21/70 【发明人】詹勋昌; 林汉涂 【主权项内容】1.一种像素的形成方法，包括： 形成一栅极于一基板上； 形成一栅极绝缘层于该栅极上，覆盖该栅极； 形成一通道层于该栅极上方的该栅极绝缘层上； 形成一源极及一漏极于该栅极两侧的该通道层上，且该栅极、该通道层、该 源极以及该漏极构成一薄膜晶体管； 形成一保护层于该薄膜晶体管上并曝露出部分的该漏极； 形成一图案化光阻层于该保护层上； 形成一透明导电层于该基板上、该图案化光阻层及未被该图案化光阻层覆盖 的该薄膜晶体管上； 形成一第一金属层于该透明导电层上； 以一加热该图案化光阻层的剥离制作工艺，使位于该图案化光阻层上的该透 明导电层与该第一金属层从该图案化光阻层上剥离下来； 以一酸性溶剂溶解已剥离的该透明导电层及该第一金属层；以及 移除残留的该第一金属层以裸露出未被该图案化光阻层覆盖的该薄膜晶体管 上的该透明导电层及位于该基板上的该透明导电层。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路一号 【引证次数】6.0 【自引次数】2.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】2
