【摘要】 本发明为一种全差分感测装置电路，其用于一高通滤波器， 该全差分感测装置电路包括：一第一放大电路，包括一第一晶 体管与一第二晶体管，其中该第一晶体管的基极耦接至该第二 晶体管的基极；一第二放大电路，包括一第三晶体管与一第四 晶体管，其中该第三晶体管的基极耦接至该第四晶体管的基极； 一米克效应电容，包括一放大器，其中该放大器的一第一输入 端耦接至该第一放大电路的该第二晶体管的基极，该放大器的 一第二输入端耦接至该第二放大电路的该第三晶体管的基极。 本发明所述的全差分感测装置电路，可以较小的电容取代大尺 寸电容，以缩小体积和节省成本，并且可以将电容与电路制作 在同一芯片之中。 【专利类型】发明申请 【申请人】普诚科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810135906.9 【申请日】2008-07-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621284A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H03H11/04; H03H11/12 【发明人】黄聪琦 【主权项内容】1.一种全差分感测装置电路，其特征在于，用于一高通滤 波器，该全差分感测装置电路包括： 一第一放大电路，包括一第一晶体管与一第二晶体管，其 中该第一晶体管的基极耦接至该第二晶体管的基极； 一第二放大电路，包括一第三晶体管与一第四晶体管，其 中该第三晶体管的基极耦接至该第四晶体管的基极； 一米勒效应电容，包括一放大器，其中该放大器的一第一 输入端耦接至该第一放大电路的该第二晶体管的基极，该放大 器的一第二输入端耦接至该第二放大电路的该第三晶体管的基 极。 【当前权利人】普诚科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北县
