【摘要】 本发明提供了一种形成半导体结构的方法，包括：形成牺牲层于基底上；形成可渗透的硬掩模层于该牺牲层上；形成多个导电结构于该牺牲层与该可渗透的硬掩模层内；处理该牺牲层并穿透该可渗透的硬掩模层，以部分移除该牺牲层并于这些导电结构中两个之间形成至少一个气隙；处理了该可渗透的硬掩模层的表面，以于形成该气隙后于该可渗透的硬掩模层上形成第一介电层；形成第二介电层于该第一介电层上；以及形成至少一个第一开口于该第二介电层内，其中该第一介电层大体保护了该可渗透的硬掩模层免于形成该第一开口时受到毁损。根据本发明的半导体结构形成方法可以形成一种具有气隙的内连结构。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810091155.5 【申请日】2008-04-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101286475B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101286475B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/768 【发明人】刘重希; 余振华 【主权项内容】一种形成半导体结构的方法，包括下列步骤：形成牺牲层于基底上；形成可渗透的硬掩模层于所述牺牲层上；形成多个导电结构于所述牺牲层与所述可渗透的硬掩模层内；施行第一表面处理程序以处理所述牺牲层并穿透所述可渗透的硬掩模层，以部分移除所述牺牲层并于所述多个导电结构中两个之间形成至少一个气隙；施行第二表面处理程序以处理所述可渗透的硬掩模层的表面，以于形成所述气隙后于所述可渗透的硬掩模层上形成第一介电层；形成第二介电层于所述第一介电层上；以及形成至少一个第一开口于所述第二介电层内，其中所述第一介电层保护了所述可渗透的硬掩模层免于形成所述第一开口时受到毁损。。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】14.0 【家族被引证次数】44
