【摘要】 本发明揭示一种用于光线传导的抗反射结构。抗反射结构包括：具有第一折射率的第一介电层以及具有第二折射率的第二介电层，第二折射率不同于第一折射率。第一介电层具有多个突出部任意排列于其上表面，其中这些突出部的平均宽度以及其间的间距的平均尺寸小于光线的波长。第二介电层的下表面顺应性地贴附于第一介电层的上表面。本发明还揭示一种具有上述抗反射结构的图像感测装置。利用本发明，可借由形成次波长结构而增加多重结构的穿透率，因此可在不增加像素尺寸或填充因素的情形下聚积更多的光电荷，从而提高图像感测装置的光敏性，同时维持图像感测装置的分辨率。 【专利类型】发明授权 【申请人】采钰科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810100044.6 【申请日】2008-06-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101488508B 【公开公告日】2010-09-15 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101488508B 【授权公告日】2010-09-15 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/144; H01L27/146 【发明人】刘宇杰; 彭进宝 【主权项内容】一种用于光线传导的抗反射结构，包括：第一介电层，具有第一折射率且具有多个突出部任意排列于该第一介电层的上表面上，其中所述多个突出部的平均宽度以及其间的间距的平均尺寸小于该光线的波长；以及第二介电层，具有不同于该第一折射率的第二折射率，且该第二介电层的下表面顺应性地贴附于该第一介电层的该上表面。 【当前权利人】采钰科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【家族引证次数】43.0 【家族被引证次数】18
