【摘要】 本发明是有关于一种判断晶圆薄化的方法、装置结构、机构及其制造方法，包括从半导体装置的背面磨除基材材料。侦测研磨装置内的电流变化，此电流变化是回应于基材材料暴露出的多个第一组装置结构，其中上述的磨除步骤是回应于侦测到的电流变化而停止。进行抛光步骤修复表面，并继续移除一额外量的基材材料。监测基材材料暴露出的多个其他一或多组装置结构，以判断移除基材材料的额外量，其中此些其他一或多组装置结构是位于半导体装置内之一已知深度处，且此已知深度不同于此些第一组装置结构所在的深度。 【专利类型】发明授权 【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810001881.3 【申请日】2008-01-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101339893B 【公开公告日】2010-11-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101339893B 【授权公告日】2010-11-17 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/66; B24B49/02; B24B49/10; B24B37/04; B24B29/00 【发明人】吴文进; 杨固峰; 张宏宾; 邱文智; 余振华 【主权项内容】一种判断半导体装置薄化的方法，其特征在于其至少包括以下步骤：从一半导体装置的一背面磨除一基材材料；侦测一研磨装置内的一电流变化，该电流变化是回应于该基材材料暴露出的多个第一组装置结构，其中该磨除步骤是回应于侦测到的该电流变化而停止；抛光移除一额外量的该基材材料；以及监测该基材材料暴露出的其他一或多组装置结构，以判断该额外量，其中上述其他一或多组装置结构是位于该半导体装置内的一已知深度处，且该已知深度不同于上述第一组装置结构所在的深度。 【当前权利人】台湾积体电路制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 【引证次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】75
