【摘要】 本发明关于一种半穿反液晶显示装置的像素结构的制作方法。本发明的制作方法包括于基板上形成由透明导电层与金属层堆迭而成的图案化第一导电层，作为栅极线、栅极、共用电极线以及设于穿透区域的预定穿透像素电极结构；以及于基板上形成图案化的第二导电层，以形成数据线以及反射像素电极，并且直接连接源极/漏极等离子掺杂区。根据本发明的制作方法，本发明可利用五道掩膜制作出半穿反液晶显示装置的像素结构，大幅简化半穿反液晶显示装置的制造过程，进而增加产能并且降低制造成本。 【专利类型】发明授权 【申请人】友达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810181331.4 【申请日】2008-11-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101408694B 【公开公告日】2010-08-11 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101408694B 【授权公告日】2010-08-11 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02F1/1335; G02F1/1362; H01L27/12; H01L21/84 【发明人】陈昱丞; 李振岳; 庄景桑; 林昆志 【主权项内容】一种半穿反液晶显示装置的像素结构的制作方法，其特征在于，所述像素结构是制作于一基板上，所述基板具有一像素区，且所述像素区包括一反射区域与一穿透区域，所述制作方法包括：在所述基板上形成一图案化半导体层；对部分所述图案化半导体层进行一第一离子注入工艺，以使部分所述图案化半导体层形成一第一离子掺杂区，以及于所述基板上形成一介电层覆盖所述图案化半导体层；于所述介电层表面形成一图案化第一导电层，由依序堆迭的一透明导电层与一第一金属层所构成，且所述图案化第一导电层包括一栅极线、至少一栅极、一共用电极线以及设于所述穿透区域的一预定穿透像素电极结构；对所述图案化半导体层进行一第二离子注入工艺，以于所述栅极的两侧分别形成一源极与一漏极，且所述漏极与所述第一离子掺杂区之间形成一离子掺杂介面；在所述基板上形成一层间介电层；移除部分所述层间介电层，以使图案化的所述层间介电层暴露出部分所述源极、所述离子掺杂介面以及所述预定穿透像素电极结构的所述第一金属层；于所述基板上形成一第二导电层，覆盖所述层间介电层与暴露出的所述第一金属层表面；以及进行一刻蚀工艺，以同时移除部分所述第二导电层与所述穿透区域内的所述第一金属层，以形成一数据线以及一反射像素电极，并暴露出所述预定穿透像素电极的所述透明导电层，以形成一穿透像素电极，电连接于所述反射像素电极。 【当前权利人】友达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【家族被引证次数】2
