【摘要】 一种发光二极管，包括一半导体元件层、一第一电极以及一第二电极。半导体元件层包括一第一型半导体层、一发光层以及一第二型半导体层。发光层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。第二型半导体层具有远离发光层的一第一表面。第一电极电性连接于第一型半导体层。第二电极实质上分布于第二型半导体层的整个第一表面且电性连接于第二型半导体层，且第二电极具有暴露部分的第一表面的至少一开口。此外，制造上述发光二极管的制造方法亦被提出。 【专利类型】发明申请 【申请人】奇力光电科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台南县新市乡风铃路12号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810184287.2 【申请日】2008-12-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752469A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752469B 【授权公告日】2012-04-04 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】陈锡铭; 王星贸 【主权项内容】一种发光二极管，其特征在于，包括：一半导体元件层，包括一第一型半导体层、一发光层以及一第二型半导体层，其中所述发光层位于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间，所述第二型半导体层具有远离所述发光层的一第一表面；一第一电极，电性连接于所述第一型半导体层；以及一第二电极，实质上分布于所述第二型半导体层的整个所述第一表面且电性连接于所述第二型半导体层，所述第二电极具有暴露部分的所述第一表面的至少一开口。 【当前权利人】奇力光电科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台南县新市乡风铃路12号 【家族引证次数】3.0
