【摘要】 一种无核层多层封装基板的制作方法，是从一铜核基板为基础，开始制作的多层封装基板，其包括具球侧平面电性接脚接垫与至少一增层线路。于其中，各增层线路及置晶侧与球侧连接的方式是以数个电镀盲、埋孔所导通。因此，本发明封装基板的特色在于具有高密度增层线路以提供电子组件相连时所需的绕线。藉此，使用本发明具高密度的增层线路封装基板方法所制造的无核层多层封装基板，可有效改善超薄核层基板板弯翘问题，简化传统增层线路板的制作流程。 【专利类型】发明授权 【申请人】钰桥半导体股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾台北市松山区延寿街10号1楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810305365.X 【申请日】2008-11-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101436550B 【公开公告日】2010-09-29 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101436550B 【授权公告日】2010-09-29 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/48; H05K3/46 【发明人】林文强; 王家忠; 陈振重 【主权项内容】一种无核层多层封装基板的制作方法，其特征在于：至少包含下列步骤：A、提供铜核基板；B、分别于该铜核基板的第一面上形成第一阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成完全覆盖状的第二阻层，于其中，该第一阻层上形成数个第一开口，并显露其下该铜核基板的第一面；C、于数个第一开口下方形成数个第一凹槽；D、移除该第一阻层及该第二阻层；E、于数个第一凹槽内形成第一电性阻绝层；F、于该铜核基板的第一面与该第一电性阻绝层上形成第一介电层及第一金属层；G、于该第一金属层与该第一介电层上形成数个第二开口，并显露其下的铜核基板的第一面；H、于数个第二开口中及该第一金属层上形成第二金属层；I、分别于该第二金属层上形成第三阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成完全覆盖状的第四阻层，于其中，该第三阻层上形成数个第三开口；J、移除该第三开口下方的第二金属层及第一金属层，并形成第一线路层；K、移除该第三阻层及该第四阻层，至此，完成具有铜核基板支撑并具电性连接的单层增层线路基板；M、于该单层增层线路基板上进行线路增层结构制作，于其中，在该第一线路层与该第一介电层表面形成第二介电层，并且该第二介电层上形成有数个第四开口，以显露其下的第一线路层，接着于该第二介电层与数个第四开口表面形成第一晶种层，再分别于该第一晶种层上形成第五阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成完全覆盖状的第六阻层，其中，该第五阻层上形成有数个第五开口，以显露其下的第一晶种层，之后于该第五开口中已显露的第一晶种层上形成第三金属层，最后再移除该第五阻层、该第六阻层及该第一晶种层，以在该第二介电层上形成第二线路层；至此，完成具有铜核基板支撑并具电性连接的双层增层线路基板，再进行步骤(L)；或者继续步骤(M)增加线路增层结构，形成具多层的封装基板，再进行该步骤(L)；L、接着进行置晶侧线路层与球侧平面电性接脚接垫的制作，于其中，在该第二线路层表面形成第一防焊层，并且在该第一防焊层上形成数个第六开口，以显露线路增层结构作为电性连接垫的部分，接着再分别于该铜核基板的第二面上形成第七阻层，并且在该第七阻层上形成数个第七开口，以及于该第一防焊层上形成完全覆盖状的第八阻层，之后移除数个第七开口下方的铜核基板，以形成数个第二凹槽，并再移除该第七阻层与该第八阻层，接着于数个第二凹槽中形成第二电性阻绝层，并显露出平面电性连接垫，最后，分别于数个第六开口上形成第一阻障层，以及于该平面电性连接垫上形成第二阻障层，至此，完成具有完整图案化的置晶侧线路层与球侧平面电性连接垫。 【当前权利人】钰桥半导体股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台北市松山区延寿街10号1楼 【家族引证次数】17.0 【家族被引证次数】71
