【摘要】 本发明公开了一种静电放电保护电路的晶体管布局，包括：第一导电型衬底、第二导电型环状阱区、二第一导电型掺杂区与至少一第二导电型金属氧化物半导体晶体管。其中，第二导电型环状阱区配置于第一导电型衬底中。二第一导电型掺杂区配置于由第二导电型环状阱区所围绕的第一导电型衬底中。另外，第二导电型金属氧化物半导体晶体管配置于二第一导电型掺杂区之间的第一导电型衬底上。 微信 【专利类型】发明授权 【申请人】旺宏电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810107916.1 【申请日】2008-05-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101587889B 【公开公告日】2010-08-18 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101587889B 【授权公告日】2010-08-18 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/04; H01L23/522 【发明人】王世钰; 吕佳伶; 陈彦宇; 刘玉莲; 卢道政 【主权项内容】一种静电放电保护电路的晶体管布局，其特征在于，包括：一第一导电型衬底；一第二导电型环状阱区，配置于该第一导电型衬底中；二第一导电型的第一掺杂区，配置于由该第二导电型环状阱区所围绕的该第一导电型衬底中；以及至少一第二导电型金属氧化物半导体晶体管，配置于该二第一导电型的第一掺杂区之间的该第一导电型衬底上，该第二导电型金属氧化物半导体晶体管具有一源极、一栅极与一漏极，其中该第二导电型环状阱区与该漏极耦接一第一电压源，该第一导电型的第一掺杂区的其中之一与该源极耦接一第二电压源，该第一导电型的第一掺杂区的另一耦接一衬底触发电路。 【当前权利人】旺宏电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 【引证次数】8.0 【他引次数】8.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】5
