【摘要】 一种用于直拉硅单晶制备中的含氮掺杂剂的制备方法，它包括以下步骤：(1) 在坩埚中装入多晶硅料和高纯的氮化硅颗粒，加热到1450℃使多晶熔化，然后持 熔体在1450℃～1470℃的熔融状态，并保持10～12的埚转；(2)多晶硅料和高纯 氮化硅颗粒的质量比：6000/1-5500/1；(3)浮于熔体表面的氮化硅颗粒全部熔 解后，保温1到2小时；(4)将坩埚上升到埚位100mm-400mm，并将氩气的流量开 到100slpm-400slpm，使熔体快速冷却；(5)将冷却得到的含氮掺杂剂用碳化硅 锤破碎成小块，混合均匀；(6)然后用化学纯的氢氟酸浸泡以去除合金上的二 氧化硅，浸泡后的掺杂剂用纯水冲洗，放进烘箱烘干后备用。本方法简便，采用 此种含氮掺杂剂向晶体中掺入氮元素不需要额外的装置和工序，容易控制晶体中 的掺杂量，达到预期的掺杂要求。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院; 有研半导体材料股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810222102.2 【申请日】2008-09-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101671841A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101671841B 【授权公告日】2011-11-16 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】C30B15/04; C30B31/00; C30B15/02 【发明人】韩海建; 戴小林; 吴志强; 王学峰 【主权项内容】1、一种用于直拉硅单晶制备中的含氮掺杂剂的制备方法，其特征在于：它 包括以下步骤： (1)在坩埚中装入多晶硅料和高纯的氮化硅颗粒，加热到1450℃使多晶熔 化，然后保持熔体在1450℃～1470℃的熔融状态，并保持10～12的埚转； (2)多晶硅料和高纯氮化硅颗粒的质量比：6000/1-5500/1； (3)浮于熔体表面的氮化硅颗粒全部熔解后，保温1到2小时； (4)将坩埚上升到埚位100mm-400mm，并将氩气的流量开到 100slpm-400slpm，使熔体快速冷却； (5)将冷却得到的含氮掺杂剂用碳化硅锤破碎成小块，混合均匀； (6)、然后用化学纯的氢氟酸浸泡以去除合金上的二氧化硅，浸泡后的掺杂 剂用纯水冲洗，最后放进烘箱烘干后备用。 【当前权利人】有研半导体硅材料股份公司 【当前专利权人地址】北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧 【专利权人类型】股份有限公司 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】7
