【摘要】 本发明公开了属于浮渣清除技术领域的一种锗熔体浮渣清除装置及方法。装置由高纯石墨加工而成，安装在籽晶晶锤下方，由晶锤连接杆、圆形托盘和对称的两根托盘连接杆组成。该方法步骤如下，对锗熔体浮渣清除装置先进行表面处理，在籽晶晶锤下方安装锗熔体浮渣清除装置，将圆形托盘降至熔体表面下方，浮渣流入托盘中，待全部浮渣集中后，缓慢提起装置，浮渣脱离液面高温区后迅速凝固在装置托盘中，将装置升至单晶炉副室取出。使用该发明可以将熔体表面浮渣清除得比较干净，排除了由于杂质导致单晶晶变的可能，提高了大直径锗单晶的成晶率。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院; 北京国晶辉红外光学科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810227590.6 【申请日】2008-11-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101748483A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C30B29/08; C30B15/00 【发明人】杨海; 苏小平; 冯德伸; 李楠; 闵振东 【主权项内容】一种锗熔体浮渣清除装置，其特征在于，装置由高纯石墨加工而成，安装在籽晶晶锤下方，由晶锤连接杆(1)、圆形托盘(3)和对称的两根托盘连接杆(2)组成。 【当前权利人】北京有色金属研究总院; 北京国晶辉红外光学科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市新街口外大街2号; 北京市海淀区北三环中路43号二区 【专利权人类型】有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110108723577081E 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族被引证次数】7
