【摘要】 一种大直径硅片的制造方法，它包括以下的步骤：(1)将磨削后 的硅片进行HF溶液漂洗，去除磨削后硅片表面的氧化层，提高双面 抛光的去除速度；(2)将磨削片进行常规双面抛光；(3)将硅片进 行单面精抛和清洗。本发明的工艺方法中用HF溶液去除磨削后表面 的氧化层，更有利于双面抛光，从而使抛光时间大幅度地降低，同时 减小了硅单晶去除量，提高单位单晶的产率。由于磨削量和腐蚀量降 低，从而有力的保证了产品的加工精度，可以制造出高平整度的大直 径硅片，本发明可以使用于商业上的任何大直径硅片加工工艺。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院; 有研半导体材料股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810118812.0 【申请日】2008-08-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656195A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【发明人】闫志瑞; 库黎明; 索思卓; 黄军辉; 葛钟; 陈海滨; 张国栋; 盛方毓 【主权项内容】1.一种大直径硅片的制造方法，它包括以下的步骤： (1)将磨削后的硅片进行HF溶液漂洗，去除磨削后硅片表面 的氧化层，提高双面抛光的去除速度； (2)、将磨削片进行常规双面抛光； (3)、将硅片进行单面精抛和清洗。 （，） 【当前权利人】北京有色金属研究总院; 有研半导体材料股份有限公司 【当前专利权人地址】北京市新街口外大街2号; 北京市西城区新街口外大街2号 【专利权人类型】股份有限公司 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
