【摘要】 本发明公开了一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法，该方法包括：用分子束外延方法生长用于制作滤波器的外延片；对该外延片进行清洗，并对该外延片进行第一次光刻，光刻出单悬臂图形；采用电感耦合等离子体刻蚀方法对该具有单悬臂图形的外延片进行干法刻蚀，刻蚀出垂直台面；对该刻蚀出垂直台面的外延片进行第二次光刻，光刻出P、N两个电极图案，然后反型，淀积共面电极，并金属剥离，形成电极；对该外延片进行选择性腐蚀，腐蚀出具有空气隙的单悬臂结构；停止反应，对该单悬臂结构进行保护。利用本发明，制作出了波长可调谐的滤波器。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810225784.2 【申请日】2008-11-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101738722A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101738722B 【授权公告日】2012-07-04 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G02B26/08; G03F7/00; B81C1/00 【发明人】秦龙; 韩勤; 杨晓红; 朱彬; 鞠研玲; 李文兵 【主权项内容】一种制作基于微光机电系统的波长可调谐滤波器的方法，该可调谐滤波器从上自下依次由可移动的上反射镜、AlAs牺牲层、固定的下反射镜和衬底构成，其特征在于，该方法包括：用分子束外延方法生长用于制作滤波器的外延片；对该外延片进行清洗，并对该外延片进行第一次光刻，光刻出单悬臂图形；采用电感耦合等离子体刻蚀方法对该具有单悬臂图形的外延片进行干法刻蚀，刻蚀出垂直台面；对该刻蚀出垂直台面的外延片进行第二次光刻，光刻出P、N两个电极图案，然后反型，淀积共面电极，并金属剥离，形成电极；对该外延片进行选择性腐蚀，腐蚀出具有空气隙的单悬臂结构；停止反应，对该单悬臂结构进行保护。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】6 【被自引次数】2.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】6
