【摘要】 本发明提供了一种制备含无机/有机异质结纳米线的方法，该方法包括以下步骤：a.首先配制无机化合物半导体的电化学沉积液和有机半导体电泳沉积液；b.以镀有金属膜的多孔模板为工作电极进行电化学沉积，得到部分填充有无机半导体纳米线的模板；c.将填充有无机半导体纳米线的模板洗净并干燥，再将该模板置于有机半导体电泳沉积液中，在5V/cm-100V/cm电场强度作用下，向该模板的孔中电泳沉积有机半导体，得到含无机/有机异质结纳米线。采用本发明的制备方法，扩展了有机纳米线选择范围。同时该方法操作简单，易于同现有的半导体加工工艺相结合，实现器件的规模化制备。 【专利类型】发明申请 【申请人】国家纳米科学中心 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190 北京市海淀区中关村北一条11号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810227886.8 【申请日】2008-12-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752211A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752211B 【授权公告日】2011-08-31 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/04; H01L21/368 【发明人】王汉夫; 褚卫国 【主权项内容】一种制备含无机/有机异质结纳米线的方法，该方法包括以下步骤：a.首先配制无机化合物半导体电化学沉积液和有机半导体电泳沉积液，所述的有机半导体电泳沉积液中含有1)未经修饰的小分子有机半导体化合物、使该化合物质子化的酸和能够溶解上述两种化合物的溶剂，或者2)经修饰的小分子有机半导体化合物和能够溶解该化合物的溶剂，或者3)高分子有机半导体化合物和能够溶解或分散该化合物的溶剂；b.以镀有金属膜的多孔模板为工作电极，在无机半导体电化学沉积液中进行电化学沉积，得到部分填充有无机半导体纳米线的模板；c.将步骤b得到的部分填充有无机半导体纳米线的模板洗净并干燥，再将该模板置于有机半导体电泳沉积液中，在5V/cm-100V/cm电场强度作用下，向该模板的孔中电泳沉积有机半导体化合物，得到含无机/有机异质结纳米线。 【当前权利人】国家纳米科学中心 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村北一条11号 【统一社会信用代码】12100000717806298R 【引证次数】1.0 【被引证次数】9 【他引次数】1.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】9
