【摘要】 公开了一种双极性IMS的离子门和方法，该离子门包括：离子源；第一门电极，设置在离子源的一侧；第二门电极，设置在离子源的另一侧；第三门电极，设置在第一门电极的远离离子源的那侧；第四门电极，设置在第二门电极的远离离子源的那侧；其中，在离子存储阶段，第一门电极在轴上相应位置的电位与离子源的电位和第三门电极的电位存在差异；第二门电极的电位与离子源的电位和第四门电极的电位存在差异。根据本发明，样品气体进入离子门后，在第一门电极和第二门电极之间与反应离子进行电荷交换，正负离子在电场的作用下，源源不断地被存储到相应的离子滞留区中，提高了离子的利用效率。采用简单地对组合电极进行控制的方法，将离子滞留区中的离子分步引出。 该数据由<>整理 【专利类型】发明申请 【申请人】同方威视技术股份有限公司; 清华大学 【申请人类型】企业,学校 【申请人地址】100084 北京市海淀区双清路同方大厦A座2层 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810119974.6 【申请日】2008-10-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728208A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728208B 【授权公告日】2012-09-26 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01J49/34; H01J49/40; G01N27/64 【发明人】彭华; 张清军; 林津; 李元景; 陈志强; 毛绍基; 代主得; 曹士娉; 张仲夏; 张阳天; 林德旭; 王清华 【主权项内容】一种双极性IMS的离子门，包括：离子源(0)；第一门电极(1)，设置在离子源(0)的一侧；第二门电极(2)，设置在离子源(0)的另一侧；第三门电极(3)，设置在第一门电极(1)的远离离子源(0)的那侧；第四门电极(4)，设置在第二门电极(2)的远离离子源(0)的那侧；其中，在离子存储阶段，第一门电极(1)在轴上相应位置的电位与离子源(0)的电位和第三门电极(3)的电位存在差异；第二门电极(2)在轴上相应位置的电位与离子源(0)的电位和第四门电极(4)的电位存在差异。 ： 【当前权利人】同方威视技术股份有限公司; 清华大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区双清路同方大厦A座2层; 北京市海淀区清华园 【专利权人类型】其他股份有限公司(非上市); 公立 【统一社会信用代码】91110108710927548B; 12100000400000624D 【引证次数】2.0 【被引证次数】20 【他引次数】2.0 【被自引次数】11.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】13.0 【家族被引证次数】60
