【摘要】 一种取样光栅分布布拉格反射半导体激光器的制作方法，包括：在n 型InP衬底上分别外延InP缓冲层和介质膜；在介质膜上刻出条形凹槽， 并依次生长InGaAsP下限制层、InGaAsP/InGaAsP多量子阱、InGaAsP上 限制层和InP光栅制作保护层；去除介质膜；刻出多条取样光栅窗口；制 作取样光栅；腐蚀保护层；依次生长p-InP层、p-InGaAsP刻蚀阻止层、 p-InP层和p+-InGaAs层；形成脊形波导；刻蚀形成电隔离沟；在p-InGaAsP 刻蚀阻止层上进行He离子注入；在上述步骤制作的器件结构的上表面和 脊形波导的侧面淀积介质绝缘层；在器件的上表面溅射p电极；将衬底减 薄，并蒸发n电极，解理管芯，完成器件的制作。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810116039.4 【申请日】2008-07-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621179A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101621179B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01S5/125; H01S5/22; H01S5/343; H01S5/00 【发明人】刘泓波; 赵玲娟; 潘教青; 朱洪亮; 王圩 【主权项内容】1、一种取样光栅分布布拉格反射半导体激光器的制作方法，其特征 在于，包括以下步骤： 步骤1：在n型InP衬底上外延InP缓冲层和InGaAsP保护层； 步骤2：在InGaAsP保护层上淀积介质膜； 步骤3：对介质膜的部分区域进行条形掩膜光刻，刻出条形凹槽，刻 蚀深度至InP缓冲层，形成选择生长区和非选择生长区； 步骤4：在选择生长区的条形凹槽内和非选择生长区表面上依次生长 InGaAsP下限制层、InGaAsP/InGaAsP多量子阱、InGaAsP上限制层和InP 光栅制作保护层； 步骤5：湿法腐蚀去除选择生长区的介质膜； 步骤6：在InP光栅制作保护层上，横向掩膜光刻出多条取样光栅窗 口，刻蚀深度至InGaAsP上限制层； 步骤7：在取样光栅窗口内的InGaAsP上限制层上制作取样光栅； 步骤8：湿法腐蚀去除InP光栅制作保护层； 步骤9：在InGaAsP上限制层和选择生长区的InGaAsP保护层上依次 生长p-InP层、p-InGaAsP刻蚀阻止层、p-InP层和p+-InGaAs层； 步骤10：将步骤9生长的p-InP层和p+-InGaAs层两侧的部分区域进 行刻蚀，形成脊形波导； 步骤11：将脊形波导上的p+-InGaAs层选择性刻蚀，形成不同功能段 的电隔离沟； 步骤12：在电隔离沟内和脊形波导两侧暴露出的p-InGaAsP刻蚀阻 止层上进行He离子注入，使脊形波导以外的区域表面，特别是电隔离沟 成为高阻区； 步骤13：在上述步骤制作的器件结构的上表面和脊形波导的侧面淀 积介质绝缘层，并腐蚀掉脊形波导上表面的介质绝缘层，使之暴露出 p+-InGaAs层； 步骤14：在暴露出p+-InGaAs层的上表面溅射p电极； 步骤15：将衬底减薄，并蒸发n电极，解理管芯，完成器件的制作。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】18 【被自引次数】4.0 【被他引次数】14.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】18
