【摘要】 本发明公开了一种金属键合硅基激光器的制备方法，该方法包括：在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；然后，在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；同时，利用外延生长的方法制备化合物半导体激光器，并将化合物半导体激光器的N电极、衬底以及腐蚀阻挡层全部腐蚀掉；最后，将上述化合物半导体激光器和SOI硅片对准，并将化合物半导体激光器键合在SOI硅片的波导和键合区上，从而形成金属键合硅基激光器。本发明金键合硅基激光器可用于集成化生产。与直接键合硅基激光器的方法相比，本发明具有操作简单，对环境要求不高，成本较低的优点。。微信 【专利类型】发明申请 【申请人】北京大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810226036.6 【申请日】2008-11-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101741007A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101741007B 【授权公告日】2011-07-27 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01S5/00; H01S5/02 【发明人】秦国刚; 洪涛; 陈挺; 冉广照; 陈娓兮 【主权项内容】一种金属键合硅基激光器的制备方法，其步骤包括：1)在SOI硅片的硅膜上刻蚀出硅波导和键合区，并在硅波导和键合区之间刻蚀一硅阻挡墙；2)在SOI硅片的键合区内，从下到上依次制备粘附金属层、欧姆接触层和键合金属层；3)利用外延生长的方法制备化合物半导体激光器，并将化合物半导体激光器的N电极、衬底以及腐蚀阻挡层全部腐蚀掉；4)将上述化合物半导体激光器和SOI硅片对准，并将化合物半导体激光器键合在SOI硅片的波导和键合区上，从而形成金属键合硅基激光器。。 【当前权利人】北京大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区颐和园路5号北京大学 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400002259P 【被引证次数】16 【被自引次数】6.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】8.0 【家族被引证次数】82
