【摘要】 本发明提出了一种PDP嵌套式透明电极结构，包括第一透明电 极和第二透明电极，第一透明电极和第二透明电极分别具有主体和 位于所述主体一侧的放电部，第一透明电极的主体与第二透明电极 的主体平行且间隔地延伸，第一透明电极的放电部在第二透明电极 的放电部的外周延伸以形成嵌套。通过本发明提出的PDP嵌套式透 明电极结构，可以降低着火电压，增加亮度，改善图像质量。 【专利类型】发明申请 【申请人】四川世纪双虹显示器件有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100085北京市海淀区上地信息路11号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810223473.2 【申请日】2008-09-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101685743A 【公开公告日】2010-03-31 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101685743B 【授权公告日】2012-09-05 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01J17/04; H01J11/24 【发明人】曹瑞林 【主权项内容】1.一种PDP嵌套式透明电极结构，包括第一透明电极和第二透 明电极，所述第一透明电极和所述第二透明电极分别具有主体 和位于所述主体一侧的放电部，其特征在于， 所述第一透明电极的主体与所述第二透明电极的主体平 行且间隔地延伸，所述第一透明电极的放电部在所述第二透明 电极的放电部的外周延伸以形成嵌套。 【当前权利人】四川世纪双虹显示器件有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区上地信息路11号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91510700791800222X 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】1
