【摘要】 一种低介电常数BCB树脂的固化方法，具体步骤如下：步骤1：在半 导体芯片表面涂覆一层粘附剂；步骤2：通过旋转方式在半导体芯片表面 的粘附剂上涂覆一层液态BCB树脂，接着将涂覆好BCB树脂的半导体芯片 放入固化炉中，并通入氮气保护；步骤3：加热固化炉，使涂覆BCB树脂的 半导体芯片达到一第一温度，稳定一段时间，使BCB树脂中的溶剂分布均 匀；步骤4：再将加热固化炉升高到一第二温度，稳定一段时间，使BCB 树脂中的溶剂充分挥发；步骤5：再将加热固化炉升高至一第三温度，稳 定一段时间，在半导体芯片表面形成低介电常数的树脂薄膜；步骤6：将 加热固化炉的温度降至一预定温度，关氮气，取出样品，完成固化工艺。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810116413.0 【申请日】2008-07-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101625983A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101625983B 【授权公告日】2010-08-18 【授权公告年份】2010.0 【发明人】程远兵; 周帆; 潘教青; 陈娓兮; 王圩 【主权项内容】1.一种低介电常数BCB树脂的固化方法，其是采用阶梯升温的方式 来固化BCB树脂，包括三种阶梯固化温度，其特征在于，具体步骤如下： 步骤1：首先在半导体芯片表面涂覆一层粘附剂； 步骤2：通过旋转方式在半导体芯片表面的粘附剂上涂覆一层液态BCB 树脂，接着将涂覆好BCB树脂的半导体芯片放入固化炉中，并通入氮气保 护； 步骤3：加热固化炉，使涂覆BCB树脂的半导体芯片达到一第一温度， 稳定一段时间，使BCB树脂中的溶剂分布均匀； 步骤4：再将加热固化炉升高到一第二温度，稳定一段时间，使BCB 树脂中的溶剂充分挥发； 步骤5：再将加热固化炉升高至一第三温度，稳定一段时间，在半导 体芯片表面形成低介电常数的树脂薄膜； 步骤6：将加热固化炉的温度降至一预定温度，关氮气，取出样品， 完成固化工艺。 ： 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】7 【被自引次数】1.0 【家族被引证次数】7
