【摘要】 本发明公开了一种像素单元的FD有源区结构，属于CMOS图像传感器领域。该FD有源区结构包括：P型硅半导体衬底上形成P型阱，P型阱上设有N型硅半导体注入层，所述N型硅半导体注入层中包含有N-Plus离子注入层，所述N型硅半导体注入层周围设有P型硅半导体注入层，所述P型硅半导体注入层用于隔离N型硅半导体注入层与器件的浅槽隔离区STI，所述N型硅半导体注入层上设有P型硅半导体Pin层，掩埋型接触孔底部穿过P型硅半导体Pin层与N型硅半导体注入层电连接。通过在像素单元FD有源区的N型硅半导体注入层中加入N-Plus注入层，在N型硅半导体注入层周围增加P型硅半导体注入层，在N型硅半导体注入层上增加Pin注入层等几中结构的改变，有效减小FD有源区漏电流的产生。 微信 【专利类型】发明授权 【申请人】北京思比科微电子技术有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100085 北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810241085.7 【申请日】2008-12-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101459188B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101459188B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L27/146; H01L21/822 【发明人】郭同辉 【主权项内容】一种像素单元的FD有源区结构，其特征在于，包括：P型硅半导体衬底上形成P型阱，P型阱上设有N型硅半导体注入层，所述N型硅半导体注入层中包含有N-Plus离子注入层，所述N型硅半导体注入层周围设有P型硅半导体注入层，所述P型硅半导体注入层与N型硅半导体注入层形成反向P-N结，用于隔离N型硅半导体注入层与器件的浅槽隔离区，所述N型硅半导体注入层上设有P型硅半导体层，掩埋型接触孔底部穿过P型硅半导体层与N型硅半导体注入层电连接。 【当前权利人】北京思比科微电子技术股份有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区上地五街7号昊海大厦二层201室 【专利权人类型】有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91110400MA04BPF63G 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】6
