【摘要】 本发明涉及纳米电子技术中的半导体微纳加工技术领域，公开了一种制备硅纳米结构的方法，包括：制作进行电子束曝光所需的版图；对需要制作硅纳米结构的基片进行清洗、烘干；将基片热氧化生成二氧化硅掩蔽层；在基片上匀涂电子束曝光胶；按要求剂量用电子束曝光图形；显影和定影；电子束二次曝光；干法刻蚀二氧化硅；干法刻蚀硅，形成硅纳米结构。利用本发明，采用电子束曝光和干法刻蚀技术能够制作出100nm以下形状规则、边缘光滑、排列紧密、最精细处可达30nm的硅纳米结构。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810240932.8 【申请日】2008-12-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101759140A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101759140B 【授权公告日】2013-03-20 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】B82B3/00 【发明人】张仁平; 张杨; 杨富华 【主权项内容】一种制备硅纳米结构的方法，其特征在于，该方法包括：制作进行电子束曝光所需的版图；对需要制作硅纳米结构的基片进行清洗、烘干；将基片热氧化生成二氧化硅掩蔽层；在基片上匀涂电子束曝光胶；按要求剂量用电子束曝光图形；显影和定影；电子束二次曝光；干法刻蚀二氧化硅；干法刻蚀硅，形成硅纳米结构。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【引证次数】5.0 【被引证次数】10 【自引次数】2.0 【他引次数】3.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】10
