【摘要】 本发明公开了一种纳米尺寸相变存储器的制作方法，首先在硅衬底上淀积一层抗腐蚀性很强的电热绝缘材料，然后利用侧墙工艺在该材料表面制备出一个纳米尺寸的金属NANOGAP，最后再一次利用侧墙工艺制备出一条纳米尺寸的相变材料，纳米相变条填充在金属隙缝中，钝化开孔引出电极，最后制备出了纳米尺寸的相变存储器件。本发明不仅避免了使用电子束曝光的成本高、周期长的缺陷，只采用光刻和两步侧墙工艺，便制备出了纳米尺寸的相变存储器，在突破光刻分辨率限制及提高器件制备效率等方面具有很大的优越性；而且还避免了淀积和干法刻蚀侧墙基底的工艺，具有很大的优越性。。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810240934.7 【申请日】2008-12-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764196A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101764196B 【授权公告日】2011-12-21 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L45/00; H01L21/84; H01L27/24; H01L21/70 【发明人】张加勇; 王晓峰; 田晓丽; 杨富华; 王晓东 【主权项内容】一种纳米尺寸相变存储器的制作方法，其特征在于，该方法包括：a、在衬底上生长一层电热绝缘材料；b、在该电热绝缘材料上，制备一个光刻胶台面作为第一个侧墙基底，然后淀积侧墙材料，并采用干法刻蚀回刻出侧墙，去除侧墙基底，形成第一个侧墙；c、在该第一个侧墙上采用剥离工艺淀积一层金属条，使金属条搭在第一个侧墙身上，再采用湿法腐蚀去除第一个侧墙，同时将第一个侧墙上的金属剥离，形成纳米尺寸的金属NANOGAP；d、在该金属条之上制作第二个侧墙基底，然后淀积相变材料及其保护层，用干法刻蚀回刻出带有保护层的第二个侧墙；e、淀积钝化层，在相变材料两端的金属上方开孔，引出电极，形成相变存储器。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】1 【被自引次数】1.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】1
