【摘要】 一种折射面入光探测器的制作方法，制作过程包括如下步骤：步骤1：在衬底上采用MOCVD的方法生长探测器材料结构；步骤2：在探测器材料结构的上面制作p型欧姆接触；步骤3：在p型欧姆接触的周边向下刻蚀，形成探测器台面结构；步骤4：在步骤3形成的器件的上表面生长第一SiO2层；步骤5：在探测器台面结构的一侧腐蚀掉部分第一SiO2层，形成条形掩模图形结构；步骤6：在掩膜图形结构上，采用化学腐蚀的方法，向下腐蚀出燕尾槽；步骤7：腐蚀掉器件表面的第一SiO2层，重新在整个器件的表面生长第二SiO2层；步骤8：在燕尾槽中填入聚合物，使得材料表面平整；腐蚀掉p欧姆接触上的第二SiO2层；步骤9：在探测器台面结构的一侧制作p型金属电极；步骤10：将衬底减薄，在衬底的背面制作金属电极；步骤11：清除掉燕尾槽中的聚合物，解理芯片，完成整个器件的制作。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810115183.6 【申请日】2008-06-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101609857B 【公开公告日】2010-12-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101609857B 【授权公告日】2010-12-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】廖栽宜; 张云霄; 周帆; 赵玲娟; 王圩 【主权项内容】一种折射面入光探测器的制作方法，其特征在于，制作过程包括如下步骤：步骤1：在衬底上采用MOCVD的方法生长探测器材料结构；步骤2：在探测器材料结构的上面制作p型欧姆接触；步骤3：在p型欧姆接触的周边向下刻蚀，形成探测器台面结构；步骤4：在步骤3形成的器件的上表面生长第一SiO2层；步骤5：在探测器台面结构的一侧腐蚀掉部分第一SiO2层，形成条形掩模图形结构；步骤6：在掩膜图形结构上，采用化学腐蚀的方法，向下腐蚀出燕尾槽；步骤7：腐蚀掉器件表面的第一SiO2层，重新在整个器件的表面生长第二SiO2层；步骤8：在燕尾槽中填入聚酰亚胺，使得材料表面平整；腐蚀掉p欧姆接触上的第二SiO2层；步骤9：在探测器台面结构的一侧制作p型金属电极；步骤10：将衬底减薄，在衬底的背面制作金属电极；步骤11：清除掉燕尾槽中的聚合物，解理芯片，完成整个器件的制作。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0
