【摘要】 一种天然气发动机电磁阀喷射驱动电路，属于电控发动机硬件系统技术领域。该驱动电 路包括峰值维持脉宽产生电路、峰值维持电流设定电路、防止误喷射电路等电路；电容C7连 接喷射输入信号DRVSIGNAL1和比较器A的负极端口；比较器A的输出信号COUT1连接三极管 Q1基极；电阻R1连接比较器B的正极端口和输出端口；电阻R9一端连接喷射控制信号 DRVSIGNAL1，另一端连接比较器C的正极端口；高低边驱动器端口2接比较器C的输出端口 信号，端口8接二极管MUR1阴极；MOSFET芯片Q2的漏极接电源VBAT。本发明实现了峰值电 流脉宽的产生；简化了喷射驱动控制方式；电路的可配置性较高；可以有效地防止误喷射发 生。 【专利类型】发明授权 【申请人】清华大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100084北京市100084-82信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810000550.8 【申请日】2008-01-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100585150C 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100585150C 【授权公告日】2010-01-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】F02D41/26; F02M21/02 【发明人】章健勇; 李建秋; 洪木南; 陈林; 欧阳明高 【主权项内容】1、一种天然气发动机电磁阀喷射驱动电路，其特征在于，该驱动电路包括峰值维持脉宽 产生电路、峰值维持电流设定电路、防止误喷射电路、高低边驱动及电流采样电路； 所述峰值维持脉宽产生电路包括电阻R10、R14、R18，电容C1、C2、C7，齐纳二极管D1、 D3，比较器A； 电容C7连接喷射控制信号(DRVSIGNAL1)和比较器A的负极端口；电阻R18一端接 比较器A的负极端口，另一端接地；齐纳二极管D3和电阻R18并联，阴极端接比较器A的负 极端口，阳极端接地；电容C1一端接地，一端接电源VCC；电阻R8一端接地，另一端接比 较器A的正极端口；电阻R14一端接电源VCC，另一端接比较器A的正极端口；齐纳二极管 D1和电阻R8并联，阴极端接比较器A的正极端口，阳极端接地；电容C2连接比较器A的正 极端口和输出端口；电阻R10连接电源VCC和比较器A的输出端口； 所述峰值维持电流设定电路包括比较器B，NPN三极管Q1，电阻R1、R2、R3、R5、R7、 R11、R12、R16，电容C4； 所述比较器A的输出信号COUT1输入三极管Q1的基极，三极管的发射极接地；电阻 R16一端接电阻R12，另一端接地；电阻R12连接R16和三极管Q1的发射极；电阻R11一端 与三极管Q1的发射极相连，另一端和电阻R7相连；电阻R7一端连接电源VCC，另一端连接 电阻R11；电容C4一端连接电阻R11，另一端连接电阻R5；电阻R5连接电容C4和电阻R2； 电阻R2一端接比较器B的正极端口，另一端接地；比较器B的负极端口输入高低边驱动 及电流采样电路输出的电流反馈信号CRT1；电阻R1连接比较器B的正极端口和输出端口； 电阻R3一端接电源VCC，另一端接比较器B的输出端口； 所述防止误喷射电路包括比较器C，电阻R4、R6、R9、R13、R15、R17； 电阻R6一端连接比较器B的输出端口，另一端连接比较器C的正极端口；电阻R9 一端连接喷射控制信号(DRVSIGNAL1)，另一端连接比较器C的正极端口；电阻R15一端连接 比较器C的正极端口，另一端接地；电阻R17一端连接比较器C的负极端口，另一端接地； 电阻R13一端连接电源VCC，另一端连接比较器C的负极端口；电阻R4一端连接电源VCC， 另一端连接比较器C的输出端口； 所述高低边驱动及电流采样电路包括高低边驱动器，运算放大器，MOSFET芯片Q2、Q3， 二极管MUR1、D2、D4，电阻R19、R20、R21、R22、R23、R25，采样电阻R24，电容C3、C5、 C6、C8、C9、C10； 电容C3一端接电平V_D12，另一端接地；高低边驱动器端口1接电平V_D12，端口 2接比较器C的输出端口信号，端口3接喷射控制信号(DRVSIGNAL1)，端口4接地，端口5 接电阻R20，端口6接电容C6，端口7接电阻R19，端口8接二极管MUR1阴极；二极管MUR1 的阳极接电平V_D12，阴极接高低边驱动器的端口8；电容C5的正极接高低边驱动器的端口 8，负极接高低边驱动器的端口6；电容C6两端连接高低边驱动器的端口8和端口6；二极管 D2的阳极接高低边驱动器的端口6，阴极接MOSFET芯片Q2的栅极；二极管D4的阴极接高低 边驱动器的端口6，阳极接地；电阻R19一端接高低边驱动器的端口7，另一端接MOSFET芯 片Q2的栅极；电阻R20一端接高低边驱动器的端口5，另一端接MOSFET芯片Q3的栅极；MOSFET 芯片Q2的漏极接电源VBAT，源极接电磁阀一端；MOSFET芯片Q3的漏极接电磁阀的另一端， 源极接采样电阻R24；采样电阻R24一端接MOSFET芯片Q3的源极，另一端接地；电阻R21 一端接电容C10，另一端接采样电阻R24；电容C10和C8并联，一端接电阻R21，另一端接 地；电阻R23一端接运算放大器的负极，另一端接地；电阻R22一端接运算放大器的负极， 另一端接电阻R25；电阻R25一端接电阻R22，另一端接运算放大器的输出端口；电容C9一 端接电源VCC，另一端接地。 【当前权利人】清华大学 【当前专利权人地址】北京市100084-82信箱 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400000624D 【引证次数】6.0 【自引次数】1.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】6.0 【家族被引证次数】11
