【摘要】 本发明属于金属材料领域，提供了一种铝碳化硅复合材料(SiCp/Al)用作封装外壳和盖板时的密封封盖方法。适用于微电子封装中混合集成电路、毫米波/微米波集成电路、多芯片组件等微电子器件的封装外壳。本发明首先在SiCp/Al复合材料表面进行双层镀覆；再将具有表面镀层的SiCp/Al复合材料外壳与盖板用Sn基焊料焊接在一起。本发明不仅大大降低了生产成本，同时还解决SiCp/Al复合材料封接困难问题，为有关金属外壳厂广泛使用SiCp/Al复合材料作为外壳和盖板材料铺平道路。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100083 北京市海淀区学院路30号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810114098.8 【申请日】2008-05-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101293294B 【公开公告日】2010-08-11 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101293294B 【授权公告日】2010-08-11 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】B23K1/008; B23K1/20; H01L21/48 【发明人】吴茂; 何新波; 曲选辉; 孟菲菲; 任淑彬 【主权项内容】一种铝碳化硅封装外壳的封接方法，其特征是工艺步骤如下：(1)首先在SiCp/Al复合材料表面直接化学镀Ni-P合金，其中Ni-P镀层的P质量百分含量为2％～12％，余量为Ni，Ni-P镀层厚度为1.0～9.0μm；(2)在镀Ni--P合金后的表面化学镀Ni-B合金，其中Ni-B镀层的B质量百分含量为0.5％～4％，余量为Ni，其厚度为0.1～8.0μm；(3)将Ni-P)/Ni-B双镀层结构的SiCp/Al复合材料用Sn-Ag-Ni焊料钎焊，SiCp/Al复合材料外壳与盖板焊接表面是Ni-P/Ni-B双镀层结构，中间是用Sn-Ag-Ni焊料；工艺焊接条件如下：真空度为1×10-3Pa，焊接温度为240～290℃，焊接时间为2～30分钟。。： 【当前权利人】北京科技大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路30号 【统一社会信用代码】121000004000022245 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】21
