【摘要】 本发明提供一种聚吡咯纳米结构电极，在电极基材上仅覆盖均匀分布 的聚吡咯纳米线阵列，并且该阵列在所述的基材上整齐排列。本发明还提 供了制备聚吡咯纳米结构电极需要的电解液以及制备所述聚吡咯纳米结 构电极的方法，和聚吡咯纳米结构电极在超级电容器中的应用。本发明的 在电极基材上仅覆盖聚吡咯纳米线阵列的电极直接在电极基材上沉积了 聚吡咯纳米线阵列，无需外加模板，同时本发明电极作为超级电容器材料 时，超级电容的比电容和能量密度都超过了覆盖普通聚吡咯膜的电极。 【专利类型】发明申请 【申请人】国家纳米科学中心 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100190北京市海淀区中关村北一条11号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810117014.6 【申请日】2008-07-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101635201A 【公开公告日】2010-01-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101635201B 【授权公告日】2011-02-09 【授权公告年份】2011.0 【发明人】黄际勇; 王凯; 魏志祥 【主权项内容】1.一种聚吡咯纳米结构电极，该电极基材上仅覆盖均匀分布的聚吡咯 纳米线阵列，该阵列上的聚吡咯纳米线间距为100-200nm，并且该阵列在 所述的基材上整齐排列，优选地，所述阵列上的聚吡咯纳米线间距为 140-170nm。 -官网 【当前权利人】国家纳米科学中心 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村北一条11号 【统一社会信用代码】12100000717806298R 【被引证次数】25 【被自引次数】6.0 【家族被引证次数】25
