【摘要】 一种能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构，由以下 部分组成：一N型层；一本征层，该本征层生长在N型层上；一P型层， 该P型层生长在本征层上；一有机空穴注入层，该有机空穴注入层生长在 P型层上；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层生长在有机空穴注入层 上；一有机发光层，该有机发光层生长在有机空穴传输层上；一阴极，该 阴极生长在有机电子传输层上的一侧；一N型欧姆接触层，该欧姆接触层 蒸发在N型层背面的一侧；上述器件能够在外界偏压下将无机红外光探测 结构探测到的低频红外光转换成由有机发光二极管发射的可见光。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810116740.6 【申请日】2008-07-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101630717A 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101630717B 【授权公告日】2011-06-01 【授权公告年份】2011.0 【发明人】李林森; 关敏; 曹国华; 曾一平; 李晋闽 【主权项内容】1、一种能实现低频光到高频光转换的有机-无机复合器件结构，所 述的器件分为下层无机红外光探测结构和上层有机发光二极管结构，其特 征在于，由以下部分组成： 一N型层； 一本征层，该本征层生长在N型层上； 一P型层，该P型层生长在本征层上； 一有机空穴注入层，该有机空穴注入层生长在P型层上； 一有机空穴传输层，该有机空穴传输层生长在有机空穴注入层上； 一有机发光层，该有机发光层生长在有机空穴传输层上； 一阴极，该阴极生长在有机电子传输层上的一侧； 一N型欧姆接触层，该欧姆接触层蒸发在N型层背面的一侧； 上述器件能够在外界偏压下将无机红外光探测结构探测到的低频红 外光转换成由有机发光二极管发射的可见光。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】2 【家族被引证次数】2
