【摘要】 本发明公开了一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法，该方法包括：在导电基底上生长绝缘介质薄膜；在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到T形沟道的底电极胶图形；在T形沟道的底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜；用丙酮剥离掉光刻胶，形成底电极；沉积有机半导体薄膜，完成器件的制作。本发明通过改变器件沟道的形状，在沟道内产生不均匀的电场，且电场延着电极边缘是逐渐减小的。不同的电场强度以及注入方向和沟道方向的变化有利于提高载流子的注入效率，从而提高器件的整体性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810240078.5 【申请日】2008-12-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752503A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752503B 【授权公告日】2012-03-28 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L51/40 【发明人】刘舸; 刘明; 刘兴华; 商立伟; 王宏; 柳江 【主权项内容】一种T形沟道的有机场效应晶体管的制作方法，其特征在于，该方法包括：步骤1、在导电基底上生长绝缘介质薄膜；步骤2、在绝缘介质薄膜表面上旋涂抗蚀剂，光刻得到T形沟道的底电极胶图形；步骤3、在T形沟道的底电极胶图形表面蒸镀一层金属薄膜；步骤4、用丙酮剥离掉光刻胶，形成底电极；步骤5、沉积有机半导体薄膜，完成器件的制作。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【家族引证次数】3.0
