【摘要】 本发明公开了一种针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路，其 特征在于，该偏置电路由微带短截线结构的栅极偏置电路、Ku波段内匹 配场效应晶体管和双段式微带短截线结构的漏极偏置电路构成，其中，该 微带短截线结构的栅极偏置电路连接于该Ku波段内匹配场效应晶体管的 栅极，该双段式微带短截线结构的漏极偏置电路连接于该Ku波段内匹配 场效应晶体管的漏极。本发明可以有效抑制Ku波段微波功率放大器中常 见的低频振荡，提高放大器稳定性，拓宽偏置电路带宽，只引入很低的插 入损耗。本发明可用于任何基于内匹配场效应晶体管的Ku波段微波功率 放大器。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810118973.X 【申请日】2008-08-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101662263A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101662263B 【授权公告日】2012-11-21 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H03F3/60 【发明人】陈高鹏; 陈晓娟; 刘新宇; 李滨 【主权项内容】1、一种针对Ku波段内匹配场效应晶体管的偏置电路，其特征在于， 该偏置电路由微带短截线结构的栅极偏置电路、Ku波段内匹配场效应晶 体管和双段式微带短截线结构的漏极偏置电路构成，其中，该微带短截线 结构的栅极偏置电路连接于该Ku波段内匹配场效应晶体管的栅极，该双 段式微带短截线结构的漏极偏置电路连接于该Ku波段内匹配场效应晶体 管的漏极。 【当前权利人】中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】17 【被他引次数】17.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】17
