【摘要】 本发明公开了一种双端口静态随机存取存储器单元，包括：一写入电 路，具有两个作为传输门的PMOS晶体管，根据字线的控制信号，将 位线的输入数据信号写入；一数据存储电路，包括四个晶体管，由两个反 相器构成锁存电路，用于通过所述写入电路存储外部的输入数据信 号；一读取电路，包括两个NMOS晶体管，用于根据读选择控制信号， 读取所述数据存储电路存储的输入数据信号。本发明提供的这种双端口静 态随机存取存储器单元，读操作和写操作的位置分开，因此能够互不干扰 地同时读写数据，同时又能在高速状态下工作。。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810222331.4 【申请日】2008-09-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101677016A 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101677016B 【授权公告日】2012-02-08 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】G11C11/413; G11C11/416; G11C11/419 【发明人】高雷声; 周玉梅; 蒋见花 【主权项内容】1、一种双端口静态随机存取存储器单元，其特征在于，包括： 一写入电路，具有两个作为传输门的PMOS晶体管，根据字线的控制 信号，将位线的输入数据信号写入； 一数据存储电路，包括四个晶体管，由两个反相器构成锁存电路，用 于通过所述写入电路存储外部的输入数据信号； 一读取电路，包括两个NMOS晶体管，用于根据读选择控制信号， 读取所述数据存储电路存储的输入数据信号。 【当前权利人】北京中科芯蕊科技有限公司 【当前专利权人地址】北京市海淀区丰豪东路9号院2号楼4层4单元403-1 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】20 【被自引次数】6.0 【被他引次数】14.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】20
